电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 23A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 80A | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 1.75V @ 15V,10A |
功率 - 最大值 | 25W | 开关能量 | 600µJ(开),5mJ(关) |
输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 33nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 700ns/1.2µs | 测试条件 | 480V,10A,1 千欧,15V |
反向恢复时间 (trr) | 37ns | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220FP |
基本信息
STGF10NB60SD是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管),其专为高功率、高效率应用而设计。这款IGBT的最大集射极击穿电压为600V,能够承受较高电压而不发生击穿,对于电源管理、逆变器以及电机驱动等场合尤为适用。IGBT的最大集电极电流(Ic)为23A,脉冲电流(Icm)可达80A,这使其在短时间内处理高电流负载成为可能。
功率特性
在功率特性方面,STGF10NB60SD的最大功率可达25W,其集电极到发射极的导通电压Vce(on)在特定工作条件下(15V、10A)最大值为1.75V,这在IGBT的应用场景中是一个相对较低的值,有助于提高整体系统的效率。此外,开关能量方面,开关损耗为600µJ(开)及5mJ(关),标志着在高频应用中的有效性能。
动态特性
该IGBT在动态特性上表现出色,具有很低的栅极电荷(Qg = 33nC),这有助于控制电路实现快速的开关反应。根据测试条件(480V、10A),它的开关延迟(Td_on)仅为700ns,而关断延迟(Td_off)则为1.2µs,这种快速响应特性使其成为高频应用中的理想选择。反向恢复时间(trr)为37ns,说明其在关断过程中能快速恢复,有效降低了开关损耗。
工作温度范围
STGF10NB60SD的工作温度范围为-55°C至150°C,这意味着它在极端环境下也能稳定工作,非常适合各种应用场景,包括工业自动化、消费电子、可再生能源和电动车辆等。高温耐受性确保了其在长期工作中的性能稳定性及寿命。
封装与安装
STGF10NB60SD采用了TO-220-3封装形式,对散热性能要求较高的应用场景尤其适合。通孔安装(Through Hole)使得其在电路中更容易固定和散热,特别是在高功率应用时,透过良好的散热传导可有效避免对器件内部的损坏。
应用场景
这款IGBT广泛应用于电力电子领域,包括但不限于:
总结
综上所述,STGF10NB60SD IGBT是一款兼具高电压、高电流和优秀动态特性的高效开关器件,适合在各种高功率电子产品中使用。凭借其低导通压降、快速开关特性及广泛的温度适应性,该IGBT不仅能满足现代电子设备对能效的严苛要求,还能为使用者提供可靠的性能保障。选择STGF10NB60SD作为设计方案中的一部分,无疑是对高效能与高稳定性的明智投资。