FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 85 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 140nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2800pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 190W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
产品概述:IRFP250PBF
IRFP250PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO-247-3 封装,专为高电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(Vdss)达 200V,最大连续漏极电流(Id)可达到 30A,提供了在多个场合下的可靠性与稳定性。该器件典型应用于电源转换器、逆变器、电机驱动以及其他高电流和高压应用场合。
电压与电流能力:
导通电阻与效率:
栅极特性:
热性能:
封装与安装:
IRFP250PBF 被广泛应用于各种高压和高电流的场合,典型应用包括:
作为一款优秀的 N 通道 MOSFET,IRFP250PBF 出色的电气性能、可靠的散热能力以及广泛的应用适应性,使其成为高电压、高功率电子设备中的理想选择。威世(VISHAY)作为领先的半导体制造商,确保这一产品在现代电子设计中的高效能与可靠性,助力开发者实现创新设计和高效运作。