IRFP250PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFP250PBF

商品编码: BM0000053725
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
6.04g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 190W 200V 30A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
1293(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
7.56
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.56
--
10+
¥6.31
--
500+
¥6
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP250PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)200V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)85 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)140nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2800pF @ 25V
功率耗散(最大值)190W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

IRFP250PBF手册

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IRFP250PBF概述

产品概述:IRFP250PBF

IRFP250PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO-247-3 封装,专为高电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(Vdss)达 200V,最大连续漏极电流(Id)可达到 30A,提供了在多个场合下的可靠性与稳定性。该器件典型应用于电源转换器、逆变器、电机驱动以及其他高电流和高压应用场合。

关键特性

  1. 电压与电流能力

    • IRFP250PBF 可承受高达 200V 的漏源电压,使其适用于多种需要高电压的电子设备。
    • 最高持续漏极电流(Id)为 30A,适合高功率电系统。
  2. 导通电阻与效率

    • 最大 Rds(on) 在 10V 的栅极驱动电压下为 85 毫欧,因此可以降低功耗,提高电路效率,特别是在大电流条件下。
    • 典型的导通电阻和栅极驱动电压组合使 IRFP250PBF 在实现快速开关的同时,减少能量损失,提升系统的整体性能。
  3. 栅极特性

    • Vgs(th) 的最大值为 4V(@250µA),确保器件在较低的栅极驱动电压下能够实现开关操作,从而改善开关性能。
    • 栅极电荷(Qg)最大值为 140nC(@10V),确保快速的开关速度,适合现代高频开关电源使用。
  4. 热性能

    • IRFP250PBF 的功率耗散能力高达 190W,使其在高负载条件下依然能够保持良好的工作温度。
    • 工作温度范围广泛,覆盖 -55°C 到 150°C,不仅适合工业应用,还适合军事和航空航天领域对极端条件的需求。
  5. 封装与安装

    • TO-247-3 封装具备优良的散热性能及物理强度,适合高功率设备的无铅焊接,便于安装和布线,是设计师的优选封装。
    • 通孔安装设计方便用户在板上实现较强的连接和负载能力,有利于整体系统布局。

应用场景

IRFP250PBF 被广泛应用于各种高压和高电流的场合,典型应用包括:

  • DC-DC 转换器:在电源转换系统中,IRFP250PBF 可用于提升转换效率及缩减能量损耗。
  • 逆变器:适用于太阳能逆变器、风能转换器等应用。
  • 电动机驱动:适合高功率电机的控制和驱动,提供必要的功率和电流。
  • 功率放大器:可用于无线电和音频系统中的功率放大应用。

结论

作为一款优秀的 N 通道 MOSFET,IRFP250PBF 出色的电气性能、可靠的散热能力以及广泛的应用适应性,使其成为高电压、高功率电子设备中的理想选择。威世(VISHAY)作为领先的半导体制造商,确保这一产品在现代电子设计中的高效能与可靠性,助力开发者实现创新设计和高效运作。