FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 77 毫欧 @ 19A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 72nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1700pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 180W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP140PBF 是来自VISHAY(威世)的高性能N通道MOSFET,适用于各种高电压和高电流的应用领域。该器件的主要规格为额定漏源电压(Vdss)为100V,最大连续漏极电流(Id)为31A,功率耗散能力高达180W,广泛应用于开关电源、直流电机驱动、负载开关以及其他需要高效率和高功率的电子电路。
IRFP140PBF采用TO-247-3封装,这种通孔封装形式使得它能够在高功率应用中得到有效散热,且布局灵活性较好。TO-247-3封装适合各种电路板设计,可以轻松的焊接与安装。
由于其卓越的性能指标,IRFP140PBF特别适合以下应用:
IRFP140PBF不仅具备高电压和高电流的处理能力,同时,其极低的导通电阻和栅极电荷为开关频率的提升提供了可能。该MOSFET在高温环境下的优异表现使其在工业、汽车及航空等领域具有广泛的应用潜力。
综上所述,IRFP140PBF是一款技术先进、高性能的N通道MOSFET,提供了高电压(100V)、高电流(31A)和高功率(180W)的解决方案,为现代电子设备和电源系统提供了卓越的性能支持。无论是在高频开关电源、直流电机驱动还是其他高功率应用中,IRFP140PBF都能极大地提升系统的效率和稳定性,是电子工程师值得信赖的选择。