IRFP140PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFP140PBF

商品编码: BM0000053723
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
0.185g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 180W 100V 31A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
11(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
9.25
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.25
--
10+
¥7.72
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP140PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)77 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)72nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1700pF @ 25V
功率耗散(最大值)180W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

IRFP140PBF手册

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IRFP140PBF概述

IRFP140PBF 产品概述

1. 概述

IRFP140PBF 是来自VISHAY(威世)的高性能N通道MOSFET,适用于各种高电压和高电流的应用领域。该器件的主要规格为额定漏源电压(Vdss)为100V,最大连续漏极电流(Id)为31A,功率耗散能力高达180W,广泛应用于开关电源、直流电机驱动、负载开关以及其他需要高效率和高功率的电子电路。

2. 主要规格

  • FET类型:N通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 最大连续漏极电流(Id):31A(在限制温度下)
  • 导通电阻(Rds(on)):在10V的栅极驱动下,19A时最大值为77毫欧,显示了出色的导通特性。
  • 栅极源电压(Vgs)最大值:±20V
  • 栅极阈值电压(Vgs(th))最大值:4V(在250µA下),适合广泛的驱动电压范围。
  • 输入电容(Ciss):最大值1700pF(在25V下),保证了高频应用中的快速响应。
  • 栅极电荷(Qg)最大值:72nC(在10V下),为开关操作提供了良好的效率。
  • 功率耗散(Pd):180W(在特定温度条件下)
  • 工作温度范围:-55°C 至 175°C,提供了极高的温度稳定性,适合严苛环境下的应用。

3. 封装与安装

IRFP140PBF采用TO-247-3封装,这种通孔封装形式使得它能够在高功率应用中得到有效散热,且布局灵活性较好。TO-247-3封装适合各种电路板设计,可以轻松的焊接与安装。

4. 应用场景

由于其卓越的性能指标,IRFP140PBF特别适合以下应用:

  • 开关电源:在许多电源转换器中作为开关装置,能够高效率地控制电源的输出。
  • 直流电机控制:在电动机驱动中,MOSFET卡能够实现良好的开关特性,使控制更加精确高效。
  • 电池管理系统:在电池组的连接和切换中,MOSFET的高效率与耐压特性确保了系统的安全性和可靠性。
  • 伺服驱动器:在需求快速响应的伺服控制系统中使用,能够提供必要的功率和电流支持。
  • 音频功率放大器:MOSFET的线性特性和可调性非常适合音频放大器中的应用。

5. 性能优势

IRFP140PBF不仅具备高电压和高电流的处理能力,同时,其极低的导通电阻和栅极电荷为开关频率的提升提供了可能。该MOSFET在高温环境下的优异表现使其在工业、汽车及航空等领域具有广泛的应用潜力。

6. 总结

综上所述,IRFP140PBF是一款技术先进、高性能的N通道MOSFET,提供了高电压(100V)、高电流(31A)和高功率(180W)的解决方案,为现代电子设备和电源系统提供了卓越的性能支持。无论是在高频开关电源、直流电机驱动还是其他高功率应用中,IRFP140PBF都能极大地提升系统的效率和稳定性,是电子工程师值得信赖的选择。