IRFPE30PBF

产品概述：IRFPE30PBF MOSFET

引言

IRFPE30PBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由知名电子元件供应商 VISHAY（威世）生产。凭借其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围，IRFPE30PBF 被广泛应用于高电压、高功率的电子设备中，包括开关电源、电机驱动和逆变器等领域。

基本参数与技术规范

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
• 漏源电压（Vdss）: 800V，适用于要求高电压耐受的应用。
• 连续漏极电流（Id）: 4.1A（在 25°C 时，建议构造于不同的散热条件下进行分析）。
• 驱动电压: 10V，为最小 Rds On 提供驱动条件，确保在使用过程中良好的导通能力。
• 导通电阻（Rds On）: 在 10V 的条件下，导通电阻最大值为 3Ω @ 2.5A，表现出良好的导通特性。
• 阈值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 下最大为 4V，定义了 MOSFET 开始导通的阈值。
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为 78nC @ 10V，决定了驱动电路所需的功率与开关速度。
• 输入电容（Ciss）: 最大值为 1300pF @ 25V，影响开关频率及开关损耗。
• 功率耗散（Pd）: 最大功率耗散为 125W（在 Tc 条件下），使其能够承受较高的功率，并减少过热的风险。
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C，适合于极端环境下的应用。
• 安装类型: 通孔，方便在各种电路板上进行安装。
• 封装: TO-247-3，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。

应用领域

由于其优异的电气性能和广泛的工作条件，IRFPE30PBF 适用于以下应用：

1. 开关电源: 在电源转换中使用高电压应用，该MOSFET能够有效地控制电能的切换，以实现能效再提升。
2. 电机驱动: 在工业场合和电动汽车中，用于控制电机的驱动电流，确保电机高效运行。
3. 逆变器: 用于可再生能源系统（如太阳能逆变器）中，IRFPE30PBF 能够耐受高电压，提高设备的总体可靠性。
4. 高频应用: 由于较小的输入电容，适用于高频率的开关电路，可以有效降低开关损耗，提升效率。

总结

IRFPE30PBF 是 VISHAY 提供的一款可靠、高效的 N 通道 MOSFET，具备 800V 的高耐压和 125W 的大功率处理能力，非常适合高压、高功率要求的电子应用。其绝佳的温度范围和设计灵活性使其成为现代电子产品设计中的理想选择。无论是在开关电源、逆变器还是电机控制等许多领域，IRFPE30PBF 都能够为工程师提供强大的设计灵活性和卓越的性能表现。这款 MOSFET 是您寻求高性能解决方案的理想之选。