BSC027N04LSGATMA1

BSC027N04LSGATMA1 产品概述

一、产品背景

BSC027N04LSGATMA1 是由英飞凌（Infineon）公司制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，专门设计用于电子电路中对功率的高效控制与分配。作为一种绝缘栅场效应管，它在开关应用和功率管理中扮演着至关重要的角色。本产品具有优异的电气特性与宽广的工作温度范围，非常适用于各类工业与消费类电子产品。

二、基本参数

• FET 类型: N 通道 MOSFET
• 漏源电压 (Vdss): 40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
  • Ta: 24A
  • Tc: 100A
• 驱动电压:
  • 最大 Rds On: 4.5V
  • 最小 Rds On: 10V
• 导通电阻（最大）: 2.7 毫欧 @ 50A, 10V
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大 2V @ 49µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大 85nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss): 最大 6800pF @ 20V
• 功率耗散: 最大 2.5W（Ta）; 83W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C
• 封装类型: 表面贴装型 (SMD)
• 供应商器件封装: PG-TDSON-8-1
• 封装/外壳: 8-PowerTDFN

三、电气特性与性能

BSC027N04LSGATMA1 具备高度的导电能力，通过最低的导通电阻（Rds On）实现优良的电流承载能力，使其在进行高频开关时具有较低的能量损耗。此外，最大可达 24A 的持续漏极电流以及 100A 的临界条件设计，使其能够满足高功率应用的需求。

阈值电压（Vgs(th)）低至 2V，使得该 MOSFET 在驱动电路设计中具备良好的适应性，可在较低的驱动电压下迅速开启，这对快速开关频率的应用尤其重要。其低栅极电荷（Qg）特性使得驱动电路的设计变得更加简便，提高了整体转换效率，同时降低了驱动功耗。

四、结构及封装

BSC027N04LSGATMA1 使用 PG-TDSON-8-1 封装，采用表面贴装技术（SMD），便于自动化组装，适合各种电路板设计。该封装卡位面积小，从而有助于提高电路的整体密度，非常适合高密度集成的现代电子产品。此外，封装具有良好的散热性能，能够支持高达 83W 的功耗处理，使得组件在高负载条件下也能稳定工作。

五、广泛的应用场景

由于其优良的电气特性与较宽的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），BSC027N04LSGATMA1 在多种应用中表现出色，适用于：

• 电源管理模块: 传统开关电源和DC-DC转换器
• 电机驱动: 例如，无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动
• 汽车电子: 包括电动泵、门锁、LED驱动等
• 消费电子: 例如电脑电源、家电产品与充电器等

六、总结

BSC027N04LSGATMA1 是一款集高效能于一体的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的技术参数和广泛的应用场景，是各类高效电源设计和功率控制系统中不可或缺的关键元器件。无论在工业或消费电子领域，英飞凌此款 MOSFET 凭借其优异的电性能和灵活的应用性，必将在未来的电子产品开发中继续发挥重要作用。