ES1D-M3/61T 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ES1D-M3/61T

商品编码: BM0000038310
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
DO-214AC(SMA)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
二极管-标准-200V-1A-表面贴装型-DO-214AC(SMA)
库存 :
3608(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.718
按整 :
圆盘(1圆盘有1800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.718
--
100+
¥0.479
--
900+
¥0.435
--
1800+
¥0.396
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

ES1D-M3/61T参数

安装类型表面贴装型不同 Vr、F 时电容10pF @ 4V,1MHz
二极管类型标准速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
电流 - 平均整流 (Io)1A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)920mV @ 1A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200V工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 200V反向恢复时间 (trr)25ns
封装/外壳DO-214AC,SMA供应商器件封装DO-214AC(SMA)

ES1D-M3/61T手册

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ES1D-M3/61T概述

产品概述:ES1D-M3/61T

1. 基本信息

ES1D-M3/61T 是由知名电子元器件厂商VISHAY(威世)制造的一款标准二极管,适用于各种电子电路的整流和保护应用。其具有优越的性能参数和宽广的工作温度范围,使其成为市场上广泛使用的表面贴装型二极管之一。

2. 主要特性

  • 器件类型:标准二极管
  • 最大反向电压(Vr):200V
  • 平均整流电流(Io):1A
  • 正向电压降(Vf):920mV @ 1A
  • 逆向泄漏电流:5µA @ 200V
  • 反向恢复时间(trr):25ns
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  • 封装类型:DO-214AC(SMA)

3. 应用领域

ES1D-M3/61T 二极管广泛应用于直流电源转换、电机驱动、LED驱动、开关电源、逆变器和其他功率电子设备中。其高达200V的反向电压能力使其能在要求严格的高电压环境下稳定工作。

4. 性能优势

  • 快速恢复特性:ES1D-M3/61T 拥有 500ns 以内的快速恢复特性,适合高频开关应用。这种特性有助于降低开关损耗,提高整体电路效率。
  • 低正向压降:920mV 的正向压降意味着在工作时的功耗较低,适合对效率有高要求的应用。
  • 小型化表面贴装封装:采用 DO-214AC (SMA) 封装,使该二极管最适合表面贴装技术(SMT),能有效节省空间并提高制造效率。

5. 温度适应性

ES1D-M3/61T 具备 -55°C 到 150°C 的宽广工作温度范围,适合各种严苛环境下的应用。这一特性使其在航空航天、汽车电子以及工业设备等领域表现优越。在极端温度条件下,仍能保持稳定的电性能,确保设备的可靠性和安全性。

6. 电容性能

该二极管在不同反向电压(Vr)和频率(F)下的电容值为 10pF @ 4V,1MHz。这一特性对于高频电路的稳定性非常重要,在信号传输和开关电源设计中,低电容值有助于提高电路的开关速度和整体性能。

7. 封装与兼容性

DO-214AC(SMA)封装标准化的设计,使得ES1D-M3/61T在各种印刷电路板(PCB)上具有良好的兼容性,并且支持自动化贴装,提升生产效率。此外,这款二极管可与多种电子元器件共存于同一电路板上,有助于实现更复杂的电路设计。

8. 结论

综上所述,ES1D-M3/61T 二极管凭借其优越的技术参数和多样化的应用场景,成为工程师和设计师在选择整流和保护器件时的理想选择。无论是高电压应用,还是需要快速恢复的开关电源,均能展示出其卓越的性能。VISHAY(威世)的设计和制造技术确保其产品的可靠性和长期稳定性,为用户提供了一个值得信赖的解决方案。经过时间的验证,ES1D-M3/61T将继续在各种电子设备和电路中发挥重要作用。