注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFB7545PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 60V 95A 1个N沟道 TO-220
库存 :
10(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
3.36按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.36
--
100+
￥2.69
--
1000+
￥2.49
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFB7545PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 95A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.9 毫欧 @ 57A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4010pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB7545PBF手册
无数据
IRFB7545PBF概述
IRFB7545PBF 产品概述
产品名称: IRFB7545PBF
类型: N通道MOSFET
封装形式: TO-220
一、基本参数
IRFB7545PBF是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计旨在应对高电压、大电流的应用场景，包括电源转换、马达驱动和工业控制等领域。它的主要参数如下：
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 95A（在25°C下的热条件下）
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅电压下，57A时最大值为5.9毫欧，展现出其优越的导电性能。
- 栅-源阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为3.7V，确保了低电压驱动的灵敏性。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V的栅电压时最大值为110nC，表明其在开关操作中较低的栅极驱动功耗。
- 最大功耗（Pd）: 125W，适用于高功率电子电路的需求。
- 工作温度范围: -55°C至175°C，适合极端环境下的工程应用。
二、技术特点
IRFB7545PBF采用了现代MOSFET技术，具有优越的开关速度和低导通损耗的特性。其高效的输入电容（Ciss）最大值为4010pF（在25V的Vds下），这使得其在高频应用中的表现尤为出色。此外，最大Vgs为±20V，能够承受一定的过压而不受损坏。
三、应用场景
由于IRFB7545PBF的高电流承载能力和低导通损耗，它广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 在DC-DC转换器、伺服驱动器和开关电源中，为高效转换提供支持。
- 电机控制: 适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制，具有快速开关特性，能够提高系统的效率。
- 汽车电子: 适合用于电动汽车和混合动力汽车中的各种控制模块，能够在严酷的汽车环境下稳定工作。
- 工业控制: 在工业自动化设备中，用于高功率开关，提供稳定和可靠的性能。
四、设计与可用性
IRFB7545PBF的封装为TO-220，这种结构使得其散热性能良好，适合在高功率应用中使用。通孔安装方式也便利了在各种电路板上的应用。此外，由于其由英飞凌（Infineon）生产，客户可以获得可靠的质量保障和支持。
五、总结
IRFB7545PBF是一款功能强大的N通道MOSFET，兼具高电压和高电流能力，适合多种高效电子电路和系统应用。凭借其低导通电阻和高开关效率，该器件完全能够满足现代电源设计的需求。通过其广泛的工作温度范围和高功率处理能力，IRFB7545PBF为设计工程师提供了一种灵活而可靠的解决方案，助力于推动高效能电子产品的发展。
对于希望在高效率和高可靠性基础上优化其产品设计的工程师而言，IRFB7545PBF无疑是一个值得考虑的重要电子元器件。