STP13NK60Z

STP13NK60Z 产品概述

1. 概述

STP13NK60Z是一款基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的高性能N沟道场效应管。该器件采用TO-220AB封装，具有600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），展现出强大的电气性能与可靠性。其设计旨在满足各种工业应用中的高功率和高压要求，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等领域。

2. 主要特性

• 电压规格：STP13NK60Z的最大漏源电压为600V，满足高压场合的需求，使其适用于电力电子和高压转换器。

• 电流能力：在25°C的环境温度下，该器件能够承受高达13A的连续漏电流，确保在高负载条件下的稳定性与可靠性。

• 导通电阻：在4.5A和10V的操作条件下，该MOSFET的最大导通电阻为550毫欧，表明其在导通状态下的电能损耗极低，可以提高系统的整体效率。

• 栅极阈值电压：STP13NK60Z的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4.5V @ 100µA，表明在较低驱动电压下即可触发MOSFET导通，提升驱动电路的灵活性。

• 栅极电荷：其栅极电荷Q(_g)的最大值为92nC @ 10V，为器件的开关速度提供了良好的条件，能够带来较快的开关响应时间，有助于提高整个电路的工作频率。

• 输入电容：在25V条件下，最大输入电容C(_iss)为2030pF，适合高频应用，确保器件在频繁开关时保持良好的稳定性。

• 功率耗散：该器件的最大功率耗散能力为150W（Tc），在合适的散热条件下，STP13NK60Z表现出优异的热稳定性。

3. 工作温度与环境适应性

STP13NK60Z的工作温度范围从-55°C到150°C，这使其适用于各种极端环境，例如工业控制、高温电子设备及汽车电子等领域。其设计符合高温环境下的要求，确保器件能在复杂条件下稳定工作。

4. 封装与安装

STP13NK60Z采用TO-220AB封装，这种封装提供了良好的散热性能，同时也便于实现通孔安装，适合多种电路板设计。由于其良好的热管理能力，用户可以减小散热器的体积或提升系统整体性价比。

5. 应用领域

STP13NK60Z广泛应用于以下领域：

• 开关电源：其高压和高电流能力非常适合于高效能的开关电源设计。
• 电机驱动：能够承受瞬态电流并在多种控制模式下工作，适用于电机驱动系统。
• DC-DC转换器：在电源转换过程中提供高效的能量传递。
• 逆变器: 被广泛用于可再生能源系统中，如太阳能及风能逆变器。

6. 总结

STP13NK60Z是一款具备优异电气特性、广泛适用性和高可靠性的N沟道MOSFET，能够在高压和高流条件下稳定运行。其高效能和低导通电阻特性，结合较大的功率处理能力，使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元件。无论是在工业、汽车还是消费电子产品中，STP13NK60Z都展现出极强的应用潜力，是高效能电力转换方案的重要选择。