注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STP40NF10
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.64g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150W 100V 50A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
11.2按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥11.2
--
100+
￥9.49
--
1000+
￥9.04
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP40NF10参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 62nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2180pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP40NF10手册
无数据
STP40NF10概述
STP40NF10 产品概述
一、基本信息
STP40NF10是一款N沟道的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），在电子元器件市场中广泛应用。该器件的主要参数包括漏源电压（Vdss）为100V，连续漏极电流（Id）为50A，凭借其优秀的性能和可靠性，非常适合高功率应用。
二、主要规格
- 漏源电压（Vdss）: STP40NF10的漏源电压可达100V，能够满足许多高压电源和开关电路的需求。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境下，该器件最大连续漏极电流可为50A，显示了其在电力转换和高功率应用中的充分能力。
- 导通电阻（Rds On）: 在10V的驱动电压下，最大导通电阻为28毫欧（@ 25A），这为降低功率损耗提供了极大的优势，提升了电路的整体效率。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 该器件在不同Id条件下，最大门极栅极阈值电压为4V（@ 250µA），这使得驱动电路设计更为灵活。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V驱动下，最大栅极电荷为62nC，这在开关频率较高的应用中尤为重要，可帮助降低开关损耗。
三、工作特性
STP40NF10的工作温度范围广泛，从-55°C至175°C（TJ），使之可在极端环境中稳定运行。在高温条件下，器件仍能保持良好的电性能，适合用于高温工业应用及汽车电子领域。
四、封装与安装
STP40NF10采用TO-220AB封装形式，具有良好的散热性能，适合通过通孔安装，方便与各种电路板兼容。TO-220封装设计对于高功率应用尤为重要，能够有效地散热并降低电阻，延长器件使用寿命。
五、应用场景
STP40NF10广泛应用于多种电力电子领域，包括：
- 电源管理: 适用于开关电源和正 DC-DC 转换器等应用，因其高效率和低功耗而备受青睐。
- 电动机控制: 可用于驱动直流电机或步进电机的控制电路，尤其是需要高电流和快速响应的应用。
- 工业应用: 适合用于电力驱动的工业控制系统，包括自动化设备和机械手臂。
- 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围和高电流能力，STP40NF10也适合用于汽车功率转化、LED驱动和电池管理系统。
六、总结
STP40NF10作为一款高性能的N-channel MOSFET，不仅在电压和电流参数上具有显著优势，其低导通电阻和广泛的工作温度范围使其成为高效电源电路和驱动应用的理想选择。无论是在设计高效能电源转换器，还是在控制复杂的电动机驱动系统，STP40NF10都能提供卓越的性能与可靠性，是电子设计工程师的理想元件选择。