STW9NK95Z
STW9NK95Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 950V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.38 欧姆 @ 3.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2256pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW9NK95Z手册
STW9NK95Z概述
产品概述：STW9NK95Z N沟道MOSFET
STW9NK95Z是意法半导体（STMicroelectronics）出品的一款高性能N沟道MOSFET，特别设计用于高电压和中等电流的应用场景。凭借其高达950V的漏源电压和7A的连续漏极电流能力，这款MOSFET非常适合在功率转换、开关电源及电动机驱动等要求严格的环境中使用。
主要特性
高漏源电压：STW9NK95Z的最大漏源电压为950V，确保其在高电压应用中的可靠性和稳定性，能够满足工业级电子设备和电源管理系统对高电压的严苛要求。
优异的导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，STW9NK95Z在3.6A电流时的最大导通电阻（Rds(on)）为1.38Ω。这一参数对于提升开关效率极为重要，可以有效降低功率损耗，提高能量转换效率，降低热量生成，从而延长系统的使用寿命。
宽工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适应多种复杂的工作环境。无论是在极寒还是高温条件下，该器件都能保持可靠的性能，适合各种行业的应用需求。
高功率耗散能力：STW9NK95Z支持最高160W的功率耗散，这意味着其可以在高负荷条件下稳定工作，适合功率密集型应用。
高输入电容：其输入电容（Ciss）的最大值为2256pF（在25V下测量），这一特性可以使其在高频开关应用中仍能保持良好的开关特性和响应速度。
应用场景
STW9NK95Z因其卓越的性能，适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源、DC-DC转换器中用于实现高效的电能转换与管理，提高整个电源系统的效率。
- 电动机控制：可以在无刷直流电动机（BLDC）驱动中应用，控制电机的启停和调速，尤其是在电动车和工业自动化设备中表现突出。
- 照明控制：常用于LED驱动电源中，提供高效、稳定的电源，从而提高照明设备的性能与能效。
- 消费电子：在大型家电及其他高功率消费电子设备中，实现高效的电力控制。
设计考虑
在使用STW9NK95Z时，需要确保其栅极驱动电压在推荐的范围内，最大Vgs为±30V，以确保MOSFET的工作在安全范围内，避免损坏。此外，根据具体的应用需求，合适的散热设计也至关重要，以尽量降低工作温度，提升器件的耐久性和可靠性。
封装信息
STW9NK95Z采用TO-247-3封装，具有良好的散热性能和安装便捷性。其通孔设计适合于多种电路布局，有效提高设备的可靠性和稳定性。
总结
STW9NK95Z是一款高压、高效的N沟道MOSFET，凭借其出色的电气特性和广泛的适用性，是现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在工业应用还是消费电子中，它都能提供强大的性能支持，为各种电力管理系统提供解决方案。