STP34NM60N
STP34NM60N参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 14.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 80nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2722pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP34NM60N手册
STP34NM60N概述
STP34NM60N 产品概述
概述
STP34NM60N 是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。其设计专门用于高电压和高电流的应用场景，适合在极端工作环境中使用，具备出色的功耗表现和优异的热性能。这款 MOSFET 是用于电源转换、开关电路以及高效能运动控制的理想选择。
基本参数
STP34NM60N 的主要参数如下：
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 29A（在结温 Tc 下）
- 最大 Rds(On): 在 10V Vgs 下，14.5A 时最大导通电阻为 105 毫欧
- Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）: 80nC @ 10V
- Vgs（最大值）: ±25V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）: 2722pF @ 100V
- 功率耗散（最大值）: 250W（在Tc下）
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-220-3（通孔安装）
性能优势
STP34NM60N MOSFET 的高电压和高电流特性使其非常适合在电力电子的各类应用中发挥作用。以下是其几个显著优点：
高耐压能力: 该器件具有高达 600V 的漏源耐压，使其能够在高压应用中稳定工作，减少元件失效的风险。
低导通电阻: 拥有低导通电阻（Rds(On)），使得在开启状态中导通损耗减小，可以有效提高电源转换的效率，尤其在高频开关应用中尤为重要。
高功率处理能力: 最大功率耗散为 250W，使得 STP34NM60N 可以在高功率应用中安全可靠地操作，适合于电流变化较大的负载。
宽工作温度范围: 工作温度范围可达 150°C，使其在高温环境下依然能够正常工作，扩展了应用范围。
良好的开关性能: 由于其低的栅极电荷（Qg），此 MOSFET 提供了快速的开关响应，能提高系统的动态性能，适合于 PWM 驱动等快速切换场景。
应用场景
STP34NM60N 的特性使其适用于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机控制驱动电路
- DC-DC 转换器
- 逆变器
- 高频开关电路
- 线性电源和后备电源系统
封装与安装
STP34NM60N 以标准 TO-220-3 封装形式提供，支持通孔安装。这种封装设计确保良好的散热性能，能够有效降低器件在高功率操作时的温升。此外，其较大的物理尺寸也便于在更严苛的环境中进行热管理。
结论
STP34NM60N 作为一款高效的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气特性、广泛的工作温度范围和高功率处理能力，成为电力电子设计中的关键元件。无论是在工业、消费电子还是新能源应用中，STP34NM60N 都能为设计者提供可靠的解决方案。借助意法半导体的高品质标准和不断创新的技术，STP34NM60N 将是一款值得信赖的高性能 MOSFET 选择。