注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STW15NM60ND
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 600V 14A 1个N沟道 TO-247
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
11.39按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥11.39
--
10+
￥9.49
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW15NM60ND参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | FDmesh™ II |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 停產 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 299 毫欧 @ 7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1250pF @ 50V | 基本产品编号 | STW15N |
STW15NM60ND手册
无数据
STW15NM60ND概述
STW15NM60ND 产品概述
一、引言
STW15NM60ND 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，隶属于FDmesh™ II系列。该MOSFET专为高压应用而设计，具有极低的导通电阻和高功率处理能力，使其成为电源管理和电动机驱动等领域的理想选择。该元件的Junction温度工作范围广泛，适用于各种苛刻环境。
二、基本特性
类型与结构：STW15NM60ND 是一种N沟道场效应管，采用金属氧化物半导体技术（MOSFET），提供了高效的电子开关能力。
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）：具备600V的漏源击穿电压，能够满足高压电源的需求。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C的情况下，漏极可以承受14A的连续电流，适合需要高电流传输的应用。
- 导通电阻（Rds(on)）：在7A、10V的条件下，最大导通电阻为299毫欧，这使得它在导通时的功耗更低，效率更高。
- 栅源电压（Vgs）：栅极驱动电压最大为±25V，保证了驱动电路的灵活性和兼容性。
- 功率耗散（Pmax）：它的最大功率耗散可达125W，适合各类高负荷工作条件。
温度特性：
- 工作温度范围从-55°C到150°C，保证了其在极端环境下的可靠性和稳定性。
三、封装与安装
STW15NM60ND采用TO-247-3封装，这种封装方式提供了良好的热管理性能，适合高功率应用的散热需求。通孔安装使得其与印刷电路板（PCB）连接更加牢固，适合多种线性和开关电路应用。
四、应用场景
STW15NM60ND MOSFET因其卓越的性能，广泛应用于以下领域：
- 电源管理：如开关电源，逆变器等高效能电源转换设备。
- 电动机驱动：尤其适用于高电压及高电流的电机控制场合，能够有效控制电机的启动与运行。
- 自动化设备：在工业自动化设备中，用于控制高压负载，保障设备安全可靠运行。
- 逆变器：用于太阳能系统及UPS（不间断电源）中，作为逆变器电路中的开关元件，提供稳定的电流输出。
五、总结
STW15NM60ND 是一款性能卓越的N沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流、低导通电阻及广泛的工作温度范围，适合在诸多高性能应用中发挥关键作用。即使在苛刻的工作条件下，该元件也能提供卓越的可靠性和良好的热管理性能，是现代电子设备中不可或缺的元件之一。虽然该产品已停产，但其在市场上的表现和助力仍然为许多工程师和设计师所铭记，继续引领着高电压电子领域技术的创新与发展。