注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRLR7833TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 140W 30V 140A 1个N沟道 DPAK
库存 :
17(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
3.99按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.99
--
100+
￥3.32
--
1000+
￥3.03
--
2000+
￥2.8
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLR7833TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 140A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4010pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRLR7833TRPBF手册
无数据
IRLR7833TRPBF概述
IRLR7833TRPBF 产品概述
产品名称: IRLR7833TRPBF
品牌: Infineon（英飞凌）
类型: N沟道MOSFET
封装类型: TO-252-3（D-Pak）
一、基本参数简介
IRLR7833TRPBF是一款高效能N沟道MOSFET，具有优异的电流承载能力和低导通电阻，非常适合各种高功率和高频率应用。该产品的漏源电压（Vdss）为30V，具有长达140A的连续漏极电流（Id），在实际应用中表现出色。
二、主要规格
电气特性:
- 漏源电压（Vdss）: 30V，为设备提供了足够的安全余量，适合诸多电源管理及转换电路。
- 持续漏极电流（Id）: 在25°C时达到了140A，极大地增强了其在高电流传输应用中的适用性。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻仅为4.5毫欧（@15A，10V），这降低了功耗并提高了能效。
驱动与控制特性:
- 最大栅极驱动电压（Vgs）: ±20V，确保了广泛的驱动兼容性。
- 栅阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为2.3V（@250μA），确保了设备在低电压环境下也能正常启动。
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为50nC（@4.5V），这使得它在开关频率较高的应用中表现依然稳定。
温度与功率性能:
- 功率耗散（Max Power Dissipation）: 最大功率耗散为140W（@ Tc），使得其可以在恶劣环境下运行而不至于过热。
- 工作温度范围: -55°C至175°C的工作温度范围保证了该MOSFET在极端温度条件下的可靠性。
电容特性:
- 输入电容（Ciss）: 在15V下，输入电容最大为4010pF，确保快速开关特性，适合高频应用。
三、应用场合
IRLR7833TRPBF的设计使其非常适合以下几种应用：
- DC-DC变换器: 由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET在各种电源管理电路中表现优异。
- 马达控制驱动: 可用于电动机驱动电路，能够承受高功率负载并有效控制速度。
- 电源模块: 适用于要求高效率和高功率密度的电源模块，尤其是信息技术和工业应用领域。
- 逆变器和充电器: 适合用于太阳能逆变器及电池充电器等高效能设备。
四、封装与安装
IRLR7833TRPBF采用TO-252-3（D-Pak）封装，属于表面贴装型，方便自动化生产线的焊接和安装，并可以有效节省PCB空间。D-Pak封装设计的同时，有助于提升散热性能，确保长期稳定工作。
五、总结
作为Infineon（英飞凌）推出的一款先进N通道MOSFET，IRLR7833TRPBF提供了卓越的电气性能和极高的可靠性，适用于多种高功率应用场合。其优越的低导通电阻、高电流承载能力和宽广的工作温度范围，使得它在现代电源管理、电机控制及其他高效能电子设备中得到广泛使用。无论是设计师还是系统集成商，在选择可靠的FET元器件时，IRLR7833TRPBF无疑是一个值得考虑的优秀选择。