DTC143ZET1G
DTC143ZET1G参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 | 供应商器件封装 | SC-75，SOT-416 |
DTC143ZET1G手册
DTC143ZET1G概述
DTC143ZET1G 产品概述
概述
DTC143ZET1G 是一款针对多种应用场景设计的 NPN 型数字晶体管，设有预偏压功能。该器件由知名品牌 ON Semiconductor（安森美）生产，采用表面贴装型的 SC-75（SOT-416）封装，广泛应用于数字电路和电子设备中。它的优越性能和紧凑设计，使得其成为现代电子电路中不可或缺的元器件之一。
主要特点
晶体管类型: DTC143ZET1G 采用 NPN 结构，意指其在电路中主要用作信号放大和开关控制。
电流和电压规格:
- 集电极电流（Ic）: 最大工作电流可达 100 mA，适应大多数中小功率负载的需求。
- 集射极击穿电压（Vce）: 最大击穿电压为 50 V，确保器件在高电压应用中的稳定性和可靠性。
DC 电流增益（hFE）: 在 5 mA 的基极电流和 10 V 的电压条件下，DTC143ZET1G 的最小直流电流增益为 80，显示其在小信号放大时的优良特性。
饱和压降: 在 1 mA 及 10 mA 的集电极电流下，其最大饱和压降为 250 mV，优良的低饱和压降特性使得器件在开关模式下更高效。
截止电流: 集电极截止电流最大值为 500 nA，显示出其在关断状态下的极低电流泄漏，这对于低功耗设备尤为重要。
功率处理能力: 该器件的最大功率处理能力为 200 mW，适合多种电源和负载条件下的应用。
安装类型与封装: DTC143ZET1G 采用 SC-75 (SOT-416) 封装，表面贴装型设计使其易于在自动化生产线上进行组装，符合现代电子产品小型化、高密度集成的趋势。
应用场景
DTC143ZET1G 适用于多种电子应用，包括但不限于：
数字电路: 该晶体管在数字电路中经常用于逻辑门、信号放大和开关控制等功能。
开关电源: 在开关电源设计中，DTC143ZET1G 的低饱和压降特性使其成为优选元件，能有效降低功耗和提高效率。
音频设备: 其良好的增益特性使得该器件也适合在各种音频放大器中使用。
传感器及控制电路: 适合用作传感器信号放大、开关控制电路和逻辑运算单元，提高电路的工作效率与可靠性。
消费者电子产品: 广泛应用于手机、家电、计算机及其周边设备中，提升产品性能和可靠性。
结论
DTC143ZET1G 是一款具有高性能和高可靠性的 NPN 晶体管，凭借其优越的电气特性和出色的功率处理能力，适用于多种现代电子应用。无论是在数字电路、开关电源还是音频设备中，这款晶体管都能够提供稳定的性能和持久的工作能力。选择 DTC143ZET1G，您将在满足高效能与低功耗的同时，为您的电子设计提供可靠保障。