STF23N80K5

产品概述：STF23N80K5 MOSFET

一、产品简介

STF23N80K5 是一款高性能N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件专为高电压和高电流应用而设计，具有800V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），使其在工业电源、开关电源和其他高功率应用中表现出色。STF23N80K5使用TO-220封装，便于安装和散热，适合多种应用场景。

二、主要规格

• FET 类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物场效应管）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 连续漏极电流（Id）：16A（在导通温度Tc下）
• 导通电阻（Rds(on）：最大280毫欧（@ 8A, 10V）
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大5V（@ 100µA）
• 栅极电荷（Qg）：最大33nC（@ 10V）
• 栅极驱动电压（Vgs）：最大±30V
• 输入电容（Ciss）：最大1000pF（@ 100V）
• 功率耗散：最大35W（在Tc下）
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 封装类型：TO-220-3
• 品牌：ST（意法半导体）

三、性能特点

1. 高电压能力： STF23N80K5具备800V的漏源电压能力，使其适合高电压应用，如逆变器、电源供应器和电机驱动器中使用。

2. 高电流处理： 额定连续漏极电流高达16A，适合于需要较大电流输出的设备，可以广泛应用于电源转换和负载开关中。

3. 低导通电阻： 最大280毫欧的导通电阻显著降低了功率损耗，提高了能效，使其在持续载荷情况下能够保持较低的发热量，从而延长设备的使用寿命。

4. 良好的热管理性能： TO-220封装保证了良好的散热特性，适合高功率应用。同时，其宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其在极端环境下也能可靠运行。

5. 高频响应： 最大33nC的栅极电荷值提供优越的开关性能，能够在高频应用中实现快速响应，减少开关损耗，适合开关电源和DC-DC变换器等应用场合。

四、应用领域

由于STF23N80K5具有卓越的性能，适合广泛的应用场景，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）：用于高效能电源调节和节能管理。
• 电机控制：具备在电动机驱动和变频器中的高效开关能力。
• 逆变器：用于光伏和风能逆变应用。
• 电源模块：作为功率开关在变换器模块中芯片。
• 负载开关：适合用于需要精确控制大电流的负载开关设备。

五、总结

STF23N80K5 是一款性能优越的高压N沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流、低导通电阻以及宽广的工作温度范围，成为工业和消费电子领域中理想的选择。意法半导体通过这一产品展示了其在功率元件设计和制造方面的深厚技术积累，满足了长时间以来市场对高效、高性能MOSFET器件的需求。无论是开发新的电源方案，还是改进现有设计，STF23N80K5都将为用户提供强有力的支持。