注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STB35N60DM2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
1.619g
描述 :
场效应管(MOSFET) 210W 600V 28A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
13.82按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.82
--
100+
￥12.34
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STB35N60DM2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2400pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 210W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
STB35N60DM2手册
无数据
STB35N60DM2概述
STB35N60DM2 产品概述
一、产品基本信息
STB35N60DM2是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有600V的最大漏源电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Id）规格。该器件的设计旨在满足工业和消费电子领域对高压、高效率开关器件的需求，适用于各种应用场景，如电源管理、开关电源、马达驱动和照明控制等。
二、主要技术参数
漏源电压 (Vdss): 600V
- 该电压等级使STB35N60DM2能够在高电压环境下稳定工作，适合用于高频率开关电路。
连续漏极电流 (Id): 28A（Tc）
- 在25°C的环境条件下，产品能够承载28A的电流，为负载提供可靠的电源。
导通电阻 (Rds On): 最大 110毫欧 @ 14A，10V
- 在驱动电压为10V时，导通电阻保持在110毫欧，有助于降低开关损耗与热效率，提高系统的整体能效。
栅级阈值电压 (Vgs(th)): 最大5V @ 250µA
- 栅极被动触发电压允许较低的驱动电压，适合与逻辑电平设备兼容，减少驱动电路的功耗。
栅极电荷 (Qg): 最大54nC @ 10V
- 较低的栅极电荷确保了快速开关性能，适用于高频率应用。
功率耗散 (Pd): 最大210W（Tc）
- 最大功率耗散能力达到210W，确保器件在高功率应用中的稳定性。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 广泛的工作温度范围，适合在高温和低温环境中应用，确保产品的可靠性。
封装类型: D2PAK
- 该封装类型支持表面贴装，拥有良好的散热性能，适合自动化生产和紧凑型设计。
三、应用场景
STB35N60DM2 MOSFET因其优异的电气特性，被广泛应用于以下领域：
开关电源: 在高效开关电源系统中，该元器件可以用作主开关以提高功率转换效率，减少损耗。
电动马达驱动: 作为电机驱动器中的开关元件，可以实现高效驱动，并且在高负载情况下保持稳定表现。
LED照明驱动: 集成于LED照明电路中，确保LED的驱动电流稳定，提高照明效能和寿命。
可再生能源系统: 用于逆变器和其他能源转换设备，支撑绿色能源领域的需求。
电动车充电系统: 由于其高电压承载能力，STB35N60DM2可以在电动车的充电模块中实现高效能和可靠性。
四、竞争优势
STB35N60DM2在市场上具有显著的竞争优势：
- 高效性能: 低Rds On和快速开关速度减少了功耗和发热，从而延长了电子设备的使用寿命。
- 高稳定性: 面对极端的环境条件，该器件的宽温工作范围和高功率耗散能力使其在各种应用场景下持久、安全地运行。
- 易于集成: 采用D2PAK封装，方便与其他电路元件集成，并适合现代的生产工艺。
综上所述，STB35N60DM2是一款优秀的N沟道MOSFET，符合现代电子产品对高性能、高效率和高耐用性的需求，是电源管理、开关电源和驱动电路等应用中的理想选择。通过其卓越的电气特性和广泛的应用场景，STB35N60DM2在未来的电子市场中将持续具有强大的竞争力。