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STF7LN80K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220FP-3
包装 :
管装
重量 :
2.4g
描述 :
场效应管(MOSFET) 25W 800V 5A 1个N沟道 TO-220FPAB-3
库存 :
295(起订量1,增量1)
批次 :
20+数量 :
X
5.34按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.34
--
100+
￥4.27
--
1000+
￥3.96
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF7LN80K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.15 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 270pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF7LN80K5手册
无数据
STF7LN80K5概述
STF7LN80K5 产品概述
产品简介
STF7LN80K5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET（场效应管），具有额定漏源电压Vdss为800V和连续漏极电流Id可达5A，适用于高压和开关电源的应用。这款MOSFET采用TO-220FP封装，具有出色的散热性能和线性度，适合需要大功率和高耐压的场合。
重要参数
- 漏源电压（Vdss）：该器件能够承受最高800V的漏源电压，使其在高压应用中表现出色。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，允许的最大连续漏极电流为5A，确保了其在功率转换和开关操作中的可靠性。
- 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs为10V且Id为2.5A下，其最大导通电阻为1.15Ω，降低了功率损耗并提升了效率。
- 闸极电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为5V（@ 100µA），实现开关控制的高灵敏度，确保器件快速响应。
- 输入电容（Ciss）：在100V的条件下，输入电容最大值为270pF，有助于提升开关速度，适合高频应用。
- 栅极电荷（Qg）：在10V的栅极驱动条件下，栅极电荷最大值为12nC，这使得在快速开关时的驱动损耗减至最低。
工作温度及功率耗散
STF7LN80K5 MOSFET具有宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，能够在极端环境下稳定工作，适合各种苛刻工业应用。此外，其最大功率耗散为25W（在结温Tc下），确保在高温环境中长时间可靠运行。
应用场景
由于其优越的性能参数，STF7LN80K5非常适合以下应用：
- 开关电源：由于具有高耐压和低导通电阻，适合用于各种开关电源设计中，例如DC-DC转换器。
- 电动机驱动：其高电流承载能力使其能够驱动电动机以及其他负载。
- LED驱动电路：用于高电压LED照明解决方案，能够满足严格的电流和电压需求。
- 自动化与控制：配合控制电路在工业自动化设备中可实现快速开关控制。
设计与安装
STF7LN80K5采用通孔（THT）安装类型，封装形式为TO-220-3，设计使得散热效果良好，适合安装在散热器上以增强热管理。适宜的安装方式能够确保器件在长时间工作的情况下，保证器件的性能不会因过热而降低，从而延长其使用寿命。
结论
总体而言，STF7LN80K5是一款具有优良性能的N沟道MOSFET，其高漏源电压、高电流能力及出色的热稳定性使其在高压开关电源及其他功率电子应用中表现突出。意法半导体凭借其在半导体领域的深厚积累，为工程师提供了一款可靠性高、性能优越的选择，满足现代电子设备对高效率及高稳定性的需求。这款MOSFET是您新产品设计中不可或缺的重要元件。