STD7N60DM2
STD7N60DM2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.75V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 324pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD7N60DM2手册
STD7N60DM2概述
STD7N60DM2 产品概述
一、产品简介
STD7N60DM2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道 MOSFET（场效应管），其具有高耐压和中等电流能力，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关转换等领域。这款 MOSFET 结合了优异的导通性能和低功耗特性，让其在高压和高频应用中表现出色。
二、产品特性
高漏源电压（Vdss）：STD7N60DM2 的额定漏源电压为 600V，使其适用于许多需要抗高电压的应用场合，例如高压电源转换器和工业驱动器。
持续漏极电流（Id）：标准条件下，漏极电流能力可达 6A，能够支持多种负载条件下的应用。
低导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 900 毫欧，能够有效降低在导通状态下的功耗，提高整体电能转化效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：具有最高 4.75V 的栅极阈值电压，适合大多数 10V 驱动电压系统，确保在开启时具有快速响应。
栅极电荷（Qg）：在 10V 下，栅极电荷为 7.5nC，说明其开关速度较快，适合高频应用。
工作温度范围：工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应恶劣环境下的工作需求，适用于汽车及航空航天等应用领域。
封装形式：采用 DPAK-3 表面贴装封装，具有良好的散热性能和可靠性。
三、应用场景
电源管理：STD7N60DM2 的高耐压能够满足开关电源、适配器等电源管理系统的高电压需求，降低能量损耗。
电动机驱动：其优良的导通性能和温度特性，使得该 MOSFET 在电动机驱动应用中表现良好。如直流电机、步进电机及无刷电机驱动控制。
开关转换器：在各种开关模式电源（SMPS）中，STD7N60DM2 能够提升系统效率，同时降低热量产生，延长设备的使用寿命。
家电控制：可用于家电中的控制电路，比如灯光调节、风扇控制等。
四、综合评价
STD7N60DM2 凭借其出色的电气特性和广泛的应用适应性，是一个可靠的 N 通道 MOSFET 解决方案。其高电压耐受能力和低导通电阻特性，可以大大提高系统效率，降低功耗，及具备良好的热管理能力，使其在现代电子产品中的使用场景更加多样化。在选择电源开关元件时，STD7N60DM2 显然是理想的选择，尤其是在要求高压和低功耗的精密设备中。
总之，意法半导体的 STD7N60DM2 是一款具有竞争力的高性能 MOSFET，特别适合于需要高能效和高耐用性的应用，为设计师提供了灵活性和可靠性，帮助电子产品实现更高的性能指标。