SSM3J340R,LF(T 产品实物图片
SSM3J340R,LF(T 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SSM3J340R,LF(T

商品编码: BM69420040
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
SOT-23F-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.785
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.785
--
200+
¥0.541
--
1500+
¥0.493
--
3000+
¥0.46
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SSM3J340R,LF(T参数

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SSM3J340R,LF(T手册

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SSM3J340R,LF(T概述

产品概述:SSM3J340R,LF(T) 绝缘栅场效应管(MOSFET)

一、产品简介

SSM3J340R,LF(T)是东芝(TOSHIBA)推出的一款高性能绝缘栅场效应管(MOSFET),封装形式为SOT-23F-3。该器件凭借其优异的电气特性和小巧的封装设计,使其成为广泛应用于各种电子设备中的理想选择。SSM3J340R,LF(T)特别适用于需要高开关速度和低导通电阻的电路,例如便携式电子设备、智能家居和电源管理系统等。

二、主要特性

  1. 低导通电阻:SSM3J340R,LF(T)的低导通电阻(R_DS(on))特性使其在导通状态下能够有效降低功耗、提高效率,特别是在工作频率较高的应用中尤为重要。

  2. 高开关速度:该MOSFET具备快速的开关特性,能够实现高效的开关控制,适合用于高频率电子开关电路。

  3. 小型封装:SOT-23F-3封装尺寸小,适合用于空间受限的应用,实现更小的电路布局和更高的集成度。

  4. 高电流承载能力:该器件能够承载较大的电流,使其在电源管理等需要高电流处理的电路中表现优异。

  5. 优良的热特性:SSM3J340R,LF(T)具有较好的热性能,能够在一定的工作环境下稳定运行。

三、技术参数

  • 最大漏极-源极电压 (V_DS):20V
  • 最大漏极电流 (I_D):3.5A
  • 导通电阻 (R_DS(on)):典型值为10mΩ(V_GS=10V时)
  • 门极阈值电压 (V_GS(th)):1V到3V
  • 封装类型:SOT-23F-3

四、应用领域

SSM3J340R,LF(T)因其卓越的性能,被广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源(SMPS):在高频开关电源中使用,可有效降低电源转换损耗,提高整体效率。

  2. 电池管理系统:适合用于电池保护、电池平衡等场合,确保电池的安全和可靠运行。

  3. 照明控制:在LED驱动电路中具有极低的功耗和良好的调光性能。

  4. 各种便携式设备:由于其小巧的封装形式,适用于智能手机、平板电脑及其他消费类电子产品。

  5. 电机驱动:在DC电机和步进电机驱动电路中,SSM3J340R,LF(T)可以实现高效的开关和控制。

五、设计考虑

在使用SSM3J340R,LF(T)时,设计工程师需要考虑如下几个方面:

  1. 散热设计:虽然该MOSFET具有良好的热特性,但在高负载条件下仍需进行适当的散热设计,以防止器件过热。

  2. 驱动电压:确保提供MOSFET所需的正确门极驱动电压,以保证其能够在开关操作时达到最佳性能。

  3. PCB布局:在PCB布局时,需尽量减小漏电感和保持较短的连接线路,以提高电路的稳定性和可靠性。

  4. 过压保护:在高压应用中,应考虑使用过压保护电路,以保护晶体管免于因过压而导致的损坏。

六、总结

SSM3J340R,LF(T)作为东芝的一款高性能MOSFET,凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑的封装设计,广泛应用于多种电子设备中。该器件不仅可以实现高效的电力转换,还能够帮助设计工程师在提升电路性能的同时,满足现代电子设备对体积和效率的严格需求。选择SSM3J340R,LF(T),无疑是为了追求卓越性能和高效能的明智之选。