STP13N60DM2

STP13N60DM2 产品概述

一、引言

STP13N60DM2 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），它属于 MDmesh™ DM2 系列，针对高压应用场景进行了优化，适合在严苛环境下工作。本产品具备出色的导通电阻和功率处理能力，广泛应用于开关电源、马达驱动、高频变换器及其他工业自动化领域。

二、主要技术参数

• 制造商：STMicroelectronics
• 系列：MDmesh™ DM2
• 零件状态：有源（Active）
• FET 类型：N 通道
• 最大漏源电压（Vds）：600V
• 连续漏极电流（Id）：11A（在25°C的散热条件下）
• 导通电阻（Rds On）：最大值 365 毫欧（在 5.5A 和 10V 条件下）
• 栅源电压（Vgs）最大值：±25V
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（结温）
• 功率耗散：最大 110W（在结温 Tc 条件下）
• 输入电容（Ciss）：最大 730pF（在 100V 时）
• 栅极电荷（Qg）：最大 19nC（在 10V 时）

三、应用场景

STP13N60DM2 MOSFET 由于其600V的高漏源电压和11A的连续漏极电流，非常适合于以下应用领域：

1. 开关电源：常用于电源系统的开关环节，能够在高频率条件下高效工作。
2. 马达驱动：可用于直流和交流电动机的驱动电路，支持高效的功率转换和控制。
3. 高频变换器：在变换器电路中能够提供快速开关响应，限制功耗并提高效率。
4. 逆变器：在光伏和风能逆变器中，STP13N60DM2提供了优异的电压和电流处理能力。
5. 工业自动化设备：具备出色的温度耐受性，适合在工业环境中运行。

四、技术优势

1. MDmesh™ DM2 技术：该系列采用了先进的工艺技术，有效降低了导通电阻，从而提升了效率和热性能，尤其是在大功率应用中，降低了功耗并提高了热处理能力。
2. 广泛的工作温度范围：-55°C 至 150°C 的宽广温度范围使得此 MOSFET 在极端环境下仍能保持稳定工作，适合各种工业应用。
3. 优良的散热性能：TO-220 封装设计不仅实现了很好的电气性能，还优化了散热性能，确保了器件在高功率下的可靠性。

五、物理特性

STP13N60DM2 MOSFET 采用 TO-220-3 封装，具有方便的通孔安装设计，易于集成于各种电路板，同时封装的物理特性使得其能够有效散热。封装的结构也提供了良好的机械强度，适合高震动和高冲击环境。

六、总结

STP13N60DM2 是一款功能强大且应用广泛的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流的性能和出色的导通特性，成为了许多高效能电源和驱动应用的理想选择。意法半导体凭借其 долговременные innovacii and专业制造工艺，确保了该产品在各行各业中的可靠性与性能，是电子工程师和设计师在选择高压开关器件时的重要考虑之一。