MMBZ5240BLT1G
MMBZ5240BLT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 17 Ohms | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 功率 - 最大值 | 225mW |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3µA @ 8V | 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
MMBZ5240BLT1G手册
MMBZ5240BLT1G概述
MMBZ5240BLT1G 产品概述
MMBZ5240BLT1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的稳压二极管，广泛应用于电压稳压和信号调节等电子电路中。该器件采用 SOT-23-3 （TO-236）表面贴装封装，具有体积小、性能可靠的特点，非常适合现代电子设备对节省空间和高效能的需求。
关键参数
工作温度范围：MMBZ5240BLT1G 的工作温度范围为 -65°C 至 150°C，使其能够在极端环境条件下稳定工作。这一特性使其特别适用于航空航天、汽车电子和工业设备等要求严格的应用场景。
齐纳电压（Vz）：该二极管的标称齐纳电压为 10V，容差为 ±5%。这一电压特性能够为电路提供精确的电压参考，从而保证电子设备的稳定运行。
阻抗（Zzt）：其最大阻抗为 17Ω，意味着在高频应用中，该二极管能有效地压低信号衰减，尤其是在电源管理和信号整形电路中尤为重要。
正向电压（Vf）：在 10mA 的正向电流条件下，其正向电压为 900mV。这一指标显示了二极管的导通性能，有助于降低能耗。
反向泄漏电流：在 8V 的反向电压下，反向泄漏电流仅为 3µA，这是一个很低的指标，表明 MMZ5240BLT1G 拥有良好的反向截止特性，适合用于高电阻应用。
最大功率：该器件的最大功率为 225mW，提供了良好的功率处理能力，适合多种电源稳定应用。
封装和尺寸
MMBZ5240BLT1G 采用 SOT-23-3（TO-236）封装，这种小型表面贴装结构不仅降低了市场应用中对PCB空间的需求，还优化了热性能，提升了整体散热效率。SOT-23 封装的标准尺寸为 2.9mm x 1.6mm x 1.1mm，推动了电子设备的轻薄型设计。
应用领域
MMBZ5240BLT1G 的特性使其在多个领域得到了广泛应用：
- 电源管理：用于各种电源稳压器、电压参考和电源降压电路，确保设备在变化的输入电压下仍能输出稳定的工作电压。
- 信号调节：在信号调节和噪声滤波中，有效降低信号干扰，提升电路的可靠性。
- 消费电子：在手机、平板电脑等消费电子产品中，作为电源管理组件，保障设备在高负载和极端环境下的稳定运行。
- 汽车电子：在汽车电子控制单元中，提供可靠的电压保护及信号调节，保障汽车安全和性能。
总结
MMBZ5240BLT1G 稳压二极管凭借其卓越的电压稳定性、低反向泄漏电流以及宽广的工作温度范围，使其成为各种电子产品的理想选择。其小巧的 SOT-23 封装和出色的电气性能，为电子设计师提供了灵活多样的应用可能性，极大地满足了现代电子电路在高密度、高效率和高可靠性方面的需求。随着电子设备向高集成度和多功能化发展，MMBZ5240BLT1G 将继续在各类关键应用中发挥重要作用。