STF6N60M2
STF6N60M2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 232pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 20W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF6N60M2手册
STF6N60M2概述
STF6N60M2 产品概述
STF6N60M2 是一款高性能 N 通道 MOSFET，专为需要高电压、高电流以及优化开关性能的应用而设计。作为意法半导体（STMicroelectronics）的一款旗舰产品，STF6N60M2 具有令人印象深刻的电气参数，能够满足现代电力电子设备对高效率和高可靠性的要求。
主要特性
电压与电流规格：STF6N60M2 的漏源电压（Vdss）高达 600V，且在 25°C 环境温度下，最大连续漏极电流（Id）为 4.5A。这使得该 MOSFET 能够在高电压和相对高电流的应用中稳定运行，如开关电源、驱动电路和电机控制等。
导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的驱动电压下，该器件的最大导通电阻为 1.2Ω（@ 2.25A），它提供了较低的导通损耗，进一步提升了系统的总体效率。
阈值电压（Vgs(th)）：在不同漏极电流下，该 MOSFET 的最大阈值电压（Vgs(th)）为 4V（@ 250µA），确保其在较低的驱动电压下即可触发导通，适用于各种电子控制应用。
栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为 8nC（@ 10V），表明在开关过程中，该器件具有较小的开关损耗，适合用于高速开关应用。
输入电容（Ciss）：在 100V 的应用环境下，输入电容达 232pF，这意味着在高频应用中，该 MOSFET 能够维持较高的开关速度。
功率耗散能力：该器件具有 20W 的最大功率耗散能力（Tc），能够适应高功率输出的需求，增强了其适用性和可靠性。
工作温度范围：STF6N60M2 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，能够在严苛环境下可靠运行，适用于汽车和工业应用。
物理特性
安装类型：STF6N60M2 采用通孔安装设计，适合传统的 PCB (印刷电路板) 组装，具有良好的散热性能和机械强度。
封装：该产品采用 TO-220FP 封装，具备良好的散热特性和易于处理的结构，方便应用于多种电子设备中。
应用场景
STF6N60M2 的设计适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
开关电源：利用其高电压、低导通电阻性能，能够有效提高功率转换效率。
电机驱动：作为电动机控制中的开关元件，提供高效的电流开关能力，提升电机运行的稳定性和效率。
逆变器：应用于太阳能逆变器与UPS系统中，优化能量管理和转换效率。
工业设备：在工业自动化和电气驱动系统中，作为高效开关和控制元件，增强设备的响应速度与精度。
结论
总的来看，STF6N60M2 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET，它不仅具备高电压和高电流的能力，还在导通电阻、开关性能和可靠性方面表现出色，能够广泛适用于现代电力电子系统。其优异的物理特性与工作条件，使其在各种恶劣环境下均能稳定运行，是工程师们在设计高效电气解决方案时的理想选择。