STW10NK60Z
STW10NK60Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 156W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW10NK60Z手册
STW10NK60Z概述
产品概述：STW10NK60Z N-通道 MOSFET
产品简介
STW10NK60Z是一款高性能N通道MOSFET，具有600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）。该器件采用TO-247-3封装，适合高功率应用，尤其是在环境要求苛刻的情况下。凭借其优异的导通电阻和高功率耗散能力，STW10NK60Z被广泛用于电源转换、马达驱动等领域。
主要特性
高电压承受能力：STW10NK60Z具备600V的漏源电压，使其在高电压应用中表现优异，能够满足多种电气环境的需求。
低导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，该MOSFET的不同Id（漏极电流）和Vgs（栅源电压）下的最大导通电阻（Rds(on)）为750毫欧，对于功率损耗的控制至关重要。
高功率耗散：最大功率耗散容量达156W，能够在高负载情况下保持稳定工作，适用于要求高功率和高效能的应用场景。
宽广工作温度范围：STW10NK60Z支持-55°C至150°C的工作温度，适合严苛环境使用，非常适合工业、汽车及通信设备等领域。
栅极驱动特性：该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为4.5V，且栅极电荷（Qg）在10V时的最大值为70nC，致使其在开关频率和驱动电路的设计上具备良好的适应性。
输入电容低：输入电容（Ciss）在25V时最大为1370pF，降低了开关损耗，提高了开关效率。
应用领域
STW10NK60Z的高电压和电流能力使其在以下应用中表现优异：
开关电源：在高压开关电源（SMPS）设计中，凭借其良好的导通损耗特性，提升了整体能效。
电动机驱动：其高耐久性和低导通电阻使其适用于各类电动机控制系统，确保迅猛的启动和高效的操作。
逆变器：在太阳能逆变器和UPS系统中，该MOSFET的高效开关能力和耐高压特性能够显著提升性能。
汽车电子：能够承受高电压和高温的工作状态，使其在汽车电控模块和电池管理系统中成为理想选择。
封装与安装
STW10NK60Z采用TO-247-3封装，这种封装形式提供了优良的热沉能力、易于安装的特点，非常适合高功率应用。其通孔安装方式确保了良好的电气连接和散热性能。
结论
STW10NK60Z N通道MOSFET凭借其600V高电压、10A高电流及156W功率耗散能力，结合优质的导通电阻特性和宽广的工作温度，成为现代电子设备中不可或缺的关键元器件。无论是在电源管理、马达驱动还是电动汽车的应用中，STW10NK60Z都表现出色，深受设计工程师的青睐。结合意法半导体的品牌信誉，STW10NK60Z无疑是满足高性能与高效能需求的理想选择。