STP80N6F6

STP80N6F6 产品概述

一、产品简介

STP80N6F6是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为汽车和工业应用而设计，符合AEC-Q101标准。这款MOSFET归属于DeepGATE™和StripFET™ VI系列，具有出色的电流处理能力和热管理性能，是高效能功率控制及转换电路的理想选择。

二、基础参数

• 器件类型：N通道MOSFET
• 额定电流：在25°C时，连续漏极电流为110A（Tc）
• 漏源电压：管芯能够承受的最大漏源电压为60V
• 导通电阻：在10V的栅极电压下，导通电阻最大值为5.8毫欧（在50A电流下），确保了低功耗和高效率。
• 驱动电压：栅极驱动电压的最大值为±20V，提供更大的设计灵活性。
• 发热及功率处理：最大功率耗散值为120W（Tc），适用于高功率密度的应用场景。
• 工作温度范围：该器件的工作温度范围从-55°C到175°C，非常适合于高温或低温的极端环境。
• 封装类型：采用TO-220封装，提供良好的散热能力，适应多种安装方式。

三、关键特性

1. 低导通电阻：STP80N6F6具备异常低的导通电阻（Rds(on)），提高了其在高电流应用中的效率，能有效降低功耗和发热。

2. 高电流承载能力：这款MOSFET的110A连续电流能力使其适合在电动汽车驱动、逆变器和其他高电流应用中表现优异。

3. 良好的热管理：TO-220封装可以有效分散芯片产生的热量，增加了该器件的可靠性和稳定性。

4. 广泛的工作温度：-55°C到175°C的广泛工作温度范围，确保该器件能够在极端环境下正常工作，使其适合高温和低温的汽车应用。

5. 快速开关特性：在不同的栅极驱动电压（Vgs）下，其栅极电荷（Qg）达到122nC，表明该器件具有较快的开关特性，适合高频应用。

四、应用领域

STP80N6F6在多种应用领域表现优异，包括：

• 汽车电子：作为电动动力系统中的开关，适用于电动机驱动、能量回收系统（如再生制动）等。
• 工业控制：在变频器和伺服系统中使用，为高功率电机提供有效控制。
• 电源管理：在DC-DC转换器和电源模块中，用作开关元件，提高转换效率。
• 新能源应用：在光伏逆变器及储能系统中，负责功率的转换与调节。

五、总结

STP80N6F6是一款高效能、高可靠性的N沟道MOSFET，符合汽车行业标准，适用于各种高功率和高温环境。其低导通电阻和高电流承载能力使其在许多严苛应用中脱颖而出，成为设计工程师的理想选择。无论是对于电动汽车，还是在工业电源管理与控制领域，该器件都能提供卓越的性能和可靠性。