晶体管类型 | 4 NPN 达林顿(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.75A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.4V @ 2mA,1.25A |
功率 - 最大值 | 1W | 工作温度 | -20°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 16-PowerDIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 16-PowerDIP(20x7.10) |
ULN2074B是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的达林顿晶体管阵列,封装为16引脚的双列直插封装(DIP-16)。该产品基于达林顿结构,集成了四个NPN达林顿晶体管,具有高增益和多种应用场景,特别适合用于驱动大功率负载,如电机、继电器、灯光控制,以及在那些需要大量电流驱动的场合。
集成度高: ULN2074B集成了四组达林顿结构,该设计使其在单一器件中提供了多个功率驱动通道,简化了电路设计。
高耦合增益: 相对于单个晶体管,达林顿晶体管提供极高的电流增益,使得该器件能够以较小的输入电流驱动较大的负载电流。
较低的饱和压降: 在工作状态下,ULN2074B保持较低的饱和压降,能够高效地将驱动信号转换为负载电流,减少功耗并提高总体效率。
宽工作温度范围: 能够在 -20°C 到 +85°C 的温度范围内稳定工作,适应多种环境条件的应用需求。
易于使用: 采用标准的DIP封装,适合通过通孔安装,方便与现有的PCB设计兼容,且易于焊接。
ULN2074B主要用于以下应用:
ULN2074B是一款功能强大且多用途的达林顿晶体管阵列,凭借其高电流增益、较低的饱和压降及宽广的应用范围,在各种电子设计中拥有广泛的应用前景。其较高的集成度与易于使用的封装形式,使得工程师和设计师能够高效地实现系统设计,提升系统的整体性能。无论是在家居自动化、工业控制还是科研项目中,ULN2074B都能够发挥重要作用,是一款值得考虑的元器件。