晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
BC856AW,115 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管(BJT),广泛应用于各种电子电路中。该器件由知名电子元件制造商安世(Nexperia)生产,采用 SOT-323-3 的小型封装,适合在空间受限的应用场景中使用。BC856AW,115 的设计侧重于低功耗、高效率和良好的频率特性,使其成为现代电子设备中的理想选择。
小型封装:BC856AW,115采用SOT-323封装,体积小巧,适合表面贴装,广泛应用于便携式设备及其他对空间要求较高的电路设计。
卓越的电气性能:
出色的电流增益:在 2mA 的条件下,DC 电流增益(hFE)最小值达到125,确保在小基极电流下能够获得较大的集电极电流,增强了电路的开关效率。
低截止电流:最大集电极截止电流为15nA(ICBO),表示该晶体管在关闭状态下的电流泄漏非常小,这对于电池驱动的设备来说极为重要,可确保延长电池使用寿命。
高频应用:频率跃迁达到100MHz,使得BC856AW,115可用于高速开关应用,比如信号放大和开关电路,同时还能保持相对较低的失真。
宽工作温度范围:该器件的工作温度可达到150°C(TJ),使得其在高温环境下仍能稳定工作,适应复杂的工业应用场景。
BC856AW,115 的特性使其适合于各种应用,特别是在以下领域:
在使用BC856AW,115时,需要注意其最大电压和电流规格,确保在正常工作条件下,不超过其额定参数。此外,设计师在电路布局时应注意信号完整性,尤其是在高频应用中,以减少干扰和信号失真。
综上所述,BC856AW,115 是一款性能卓越的 PNP 型晶体管,凭借其小巧的封装和优秀的电气指标,成为许多电子设计的首选。无论在消费电子、通信设备、工业设备还是其他电子应用中,BC856AW,115 都能发挥重要作用,提供可靠的性能和稳定的输出,是现代电子设计中不可或缺的关键元件之一。