STD10LN80K5
STD10LN80K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 630 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 427pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD10LN80K5手册
STD10LN80K5概述
产品概述：STD10LN80K5
一、基本信息
STD10LN80K5是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N通道MOSFET，设计用于高压和高效能的电力电子应用。该器件具有800V的漏源电压（Vds），8A的连续漏极电流（Id），以及110W的最大功率耗散，特别适合用于电源转换器、逆变器及其他高压电路中。
二、技术参数
FET 类型: N 通道MOSFET（场效应管）。该类型的FET在开关频率较高的应用中表现优异，适合于快速开关和高效能电源设计。
漏源电压（Vdss）: 800V。该特性使得STD10LN80K5能够耐受高电压的工作环境，适合于工业级别的电源系统和电机驱动。
电流 - 连续漏极 (Id): 8A (Tc)。这是在限温条件下，器件可以安全承载的最大电流，为设计者提供了灵活性。
导通电阻（Rds On）: 最大630毫欧 @ 4A，10V。这表示在面对负载时，器件的能量损失较低，有助于提升系统效率。
门源电压（Vgs）: 最大±30V，足以满足大多数控制电路的需求。
栅极电荷（Qg）: 最大15nC @ 10V。这保证了在开启和关闭过程中，设备能够快速响应，适合CDR（式闭环动态响应）控制系统。
输入电容（Ciss）: 最大427pF @ 100V。这一参数确保了良好的信号完整性和降低 EMI（电磁干扰）。
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）。宽广的工作温度范围使得STD10LN80K5在严苛环境下依然稳定工作，适宜应用于高温环境的设备。
封装: DPAK（TO-252-3），具有两引线及一个接片的设计，便于表面贴装，为PCB设计提供了灵活性和便利性。
三、应用场景
STD10LN80K5 MOSFET非常适合以下几种应用场景：
电源管理: 作为高效率开关电源中的关键元件，能有效降低能量损失并提高整体转换效率。
逆变器: 在太阳能和风能等可再生能源系统中用作逆变器的开关，能够将直流电转换为交流电。
电机驱动: 适用于高压电机控制，常见于工业自动化设备和电动汽车驱动系统。
电气供电设备: 应用在各类电气供电装备中，提供高可靠性和长寿命的解决方案。
四、总结
STD10LN80K5是意法半导体推出的一款高效能高压N通道MOSFET，凭借其出色的电气特性和广泛的应用兼容性，成为电力电子行业中设计师的理想选择。其具备高压、高效率和卓越的热管理能力，使其在各种严苛的工业环境和高效能电源应用中表现出色。无论是在电子电源、逆变器还是电机驱动领域，STD10LN80K5 MOSFET都可提供优异的性能和可靠性，帮助设计师在日益竞争的市场中实现卓越的产品表现。