FZT757TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT757TA

商品编码: BM0000037161
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 300V 500mA PNP SOT-223-3
库存 :
1456(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.18
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.18
--
50+
¥1.68
--
1000+
¥1.4
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT757TA参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)300V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)50 @ 100mA,5V
功率 - 最大值2W频率 - 跃迁30MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223

FZT757TA手册

FZT757TA概述

FZT757TA 产品概述

FZT757TA 是一款高性能的 PNP 型晶体管,遵循行业标准的 SOT-223 封装,适用于各种电子应用。这款器件主要设计用于中到高功率电路,具备优异的电压和电流处理能力,广泛应用于开关电源、功率放大器、音频放大器及控制电路中。以下将从多个方面对 FZT757TA 的特性和应用进行详细介绍。

基本参数

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 500 mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 300 V
  • 饱和压降: 在 10 mA 和 100 mA 时,最大 Vce 饱和压降为 500 mV,表示在高负载条件下该器件依然能够保持良好的开关性能。
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大 100 nA,这一指标表明器件在关断状态下泄漏电流极小,提高了电路的效率。
  • 直流电流增益 (hFE): 在 100 mA 和 5 V 时,最小增益为 50,允许在较小的基极电流下驱动较大的集电极电流,适应多种驱动要求。
  • 功率最大值: 可以承受高达 2W 的功率,确保器件在高功率应用中运作稳定。
  • 频率 - 跃迁: 该设备的跃迁频率为 30 MHz,可用于高频应用,诸如信号处理和开关电源中。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围,适合在恶劣环境条件下使用,适应工业及汽车电子等需求苛刻的领域。
  • 安装类型: 表面贴装型,便于自动化加工,符合现代电子设备的微型化趋势。

封装和规格

FZT757TA 采用 SOT-223 封装,其 compact 尺寸和标准化设计使其兼容大多数设备的设计需求。SOT-223 包装的特性不仅提供了便利的安装方式,同时也确保了在密集电路板上的热管理和电磁兼容性。该封装的设计有助于在高功率应用中有效散热,降低由于温升带来的性能衰减。

应用领域

FZT757TA 广泛应用于以下几个领域:

  1. 开关电源: 由于其高频性能和电流处理能力,FZT757TA 是开关电源中的优秀选择,能够高效控制输出电流,满足电子产品对电源的稳定性要求。

  2. 音频放大器: 在音频放大器设计中,FZT757TA 可用作输出级增益元件,由于其优良的线性特性和增益,能够提高信号的清晰度和功率,确保音质的高保真。

  3. 信号放大: 在仪器仪表和通信设备中,FZT757TA 可作为中间级放大元件,降噪效果良好,适合对小信号进行高效放大。

  4. 控制电路: 由于其高增益和低截止电流特性,FZT757TA 可用于控制电路,适合作为开关组件来实现自动控制功能。

总结

作为一款功能强大的 PNP 型晶体管,FZT757TA 满足现代电子设备在高功率、高效率及小型化方面的设计需求。其广泛的工作温度范围、优良的电气特性及可靠的性能使其成为工业、消费电子及汽车电子领域中不可或缺的元件。通过合理的电路设计,FZT757TA 能够帮助工程师实现更为高效、稳定的电子产品,是当今电子设计中理想的选择之一。