BC847BV,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC847BV,115

商品编码: BM0000037156
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-666
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 45V 100mA NPN SOT-666-6
库存 :
745(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.675
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.675
--
200+
¥0.466
--
2000+
¥0.424
--
4000+
¥0.396
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC847BV,115参数

晶体管类型2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-666

BC847BV,115手册

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BC847BV,115概述

产品概述:BC847BV,115

概述

BC847BV,115 是一款经过广泛应用的 NPN 型双极型晶体管 (BJT),该器件由安世半导体(Nexperia)制造,具有优秀的电气性能和高工作频率,适合于多种电子电路的设计需求。它采用 SOT-666 封装,特别适合表面贴装(SMD)技术,为现代电子设备的集成和小型化提供了便利。该晶体管在信号放大、开关应用、以及在需要高增益和低功耗的场合,均能表现出色。

主要参数

  • 电流-集电极(Ic)(最大值): 100mA
  • 电压-集射极击穿(最大值): 45V
  • 供电电流-集电极截止(最大值): 15nA (ICBO)
  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 5mA,100mA
  • DC 电流增益 (hFE): 200 @ 2mA,5V(最小值)
  • 功率-最大值: 300mW
  • 频率-跃迁: 100MHz
  • 工作温度范围: 最高可达 150°C(TJ)

封装信息

BC847BV,115 采用 SOT-666 封装格式,该封装具备良好的热管理能力,适合用于高功率和高频率的应用场合。同时,它的小型化设计便于在空间受限的电路板上进行布局,提升整体产品的集成度和可靠性。此封装被广泛应用于消费电子、工业设备和汽车电子中。

应用场景

BC847BV,115 可广泛用于多种应用,包括但不限于以下几个方面:

  1. 信号放大: 由于其较高的电流增益 (hFE),该器件非常适合用于小信号放大器,能够有效放大输入信号,增强输出信号的强度。

  2. 开关应用: 在数字电路中,BC847BV 可以应用于开关电路,通过控制基极电流来实现对集电极电流的精准控制,符合逻辑电平的开关需求。

  3. 线性放大: 此晶体管也适合用于线性放大器中,能够实现高质量的音频信号放大,常见于音频放大器和高保真音响设备中。

  4. 传感器接口: 在传感器应用中,BC847BV 可用于信号处理,帮助提高敏感度和稳定性,在医疗仪器和工艺自动化中都有应用。

性能优势

  • 低饱和压降: 在相对较高的负载电流下(如100mA)也能保持低饱和压降(300mV),提高了电路的效率,减少了功耗和发热。
  • 高频特性: 频率跃迁达到 100MHz,满足了高速信号处理的需求,能够在高频应用中保持良好的工作状态。
  • 宽工作温度: 高达 150°C 的工作温度确保其在严苛条件下的稳定性和耐用性,使其在工业和汽车电子应用中同样可靠。

结论

BC847BV,115 作为一种性能优越的 NPN 晶体管,凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围,成为了现代电子设计中的重要组成部分。无论是信号放大、开关控制还是其他应用场景,它都能提供稳定可靠的解决方案,是各类电子工程师和设计师的理想选择。同时,安世半导体的制造工艺确保了该产品的质量与性能,为用户提供了可信赖的产品保障。