BZT52H-B11,115 产品实物图片
BZT52H-B11,115 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BZT52H-B11,115

商品编码: BM0000037155
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-123F
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
稳压二极管 11V 375mW 100nA@8V 10Ω SOD-123F
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.13
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.13
--
200+
¥0.12
--
1500+
¥0.11
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BZT52H-B11,115参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)11V容差±2%
功率 - 最大值375mW阻抗(最大值)(Zzt)10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 8V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-123F供应商器件封装SOD-123F

BZT52H-B11,115手册

empty-page
无数据

BZT52H-B11,115概述

BZT52H-B11,115 产品概述

产品简介

BZT52H-B11,115 是由 Nexperia(安世)制造的一款优质稳压二极管,具备标称齐纳电压为 11V 的特性,适用于各种电子设备中的过压保护和电压稳压应用。它采用 SOD-123F 封装,具有紧凑的尺寸,非常适合在空间受限的应用场景中使用。该二极管的设计旨在满足高性能的电源管理需求,为电路提供可靠的保护和稳定性。

主要参数

  1. 齐纳电压(Vz): 11V

    • 这是在规定条件下,该二极管能够稳定输出的电压。该电压值适合许多低功率应用,如传感器、信号处理电路等。
  2. 容差: ±2%

    • 这一小范围的变化确保了该二极管在实际应用中能够提供稳定的电压输出,确保了电路的可靠性。
  3. 最大功率(Pmax): 375mW

    • 在这一功率范围内,二极管能够有效工作,而不会因过热而损坏。在设计电路时必须注意功率限制,以确保系统的安全运行。
  4. 最大阻抗(Zzt): 10Ω

    • 该参数表示在特定条件下,二极管的动态阻抗,这对于高频应用尤为重要。低阻抗能够有效降低信号失真和噪声。
  5. 反向泄漏电流: 100nA @ 8V

    • 这一参数显示了在反向电压下的电流泄漏,对电路的能效有显著影响。较低的反向泄漏意味着在非导通状态下损耗更小,适合于电池供电的设备。
  6. 正向电压(Vf): 900mV @ 10mA

    • 在正常工作条件下,二极管的正向电压特性意味着在传输信号时不会导致过高的压降,有助于提升信号的完整性。
  7. 工作温度范围: -65°C ~ 150°C(TA)

    • 二极管可以在极端温度下稳定运行,使其适用于航空航天、汽车电子以及工业控制等要求苛刻的环境。
  8. 安装类型与封装: 表面贴装型,SOD-123F

    • SOD-123F 封装设计使其在自动化生产线中易于处理,节省了安装空间,方便在高密度电路板上使用。

应用场景

BZT52H-B11,115 的应用范围相当广泛,适用于:

  • 电源稳压:为各类电子设备提供稳压支持,维护设备工作在安全电压范围内。
  • 过压保护:保护敏感电路免受瞬态电压冲击,如雷电、静电释放等。
  • 信号整流:在信号处理电路中,提供正向与反向的整流作用,保障信号稳定传递。

竞争优势

由于其制造商 Nexperia(安世)在半导体领域的专业与技术积累,BZT52H-B11,115 产品具有极高的可靠性与稳定性。该产品的低反向泄漏电流、宽广的温度范围以及小巧的封装设计,使其在市场上具备强大的竞争力,能够满足现代电子设备对高性能、高效率的追求。

结论

BZT52H-B11,115 是一款功能强大、性能稳定的稳压二极管,其在电压管理、过压保护与信号整流等多个领域均表现出色。由于其卓越的参数与可靠性,它被广泛应用于各种电子产品中。对于设计工程师而言,选择 BZT52H-B11,115 是为其电路提供保障与稳定的理想选择。