制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 50mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 250 @ 500mA,2V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
功率 - 最大值 | 480mW | 基本产品编号 | PBSS5120 |
概述
PBSS5120T,215 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 PNP 晶体管(BJT),专为多种电子应用设计。其核心优势包括高电流增益、低饱和压降以及宽广的工作温度范围,使得该器件在要求严格的电流和电压条件下表现出色。此产品主要封装为 SOT-23-3,这种表面贴装型特点使其在现代电子设备中具有良好的适应性和可焊性。
主要特点
晶体管类型:PBSS5120 是一款 PNP 型晶体管。PNP 晶体管因其特定的电流流动方向,常用于开关和放大电路中。
电流和电压规格:
电流增益:在 2V 的条件下,PBSS5120 的直流电流增益(hFE)至少为 250 @ 500mA,这使得此晶体管能够有效放大输入信号,广泛应用于信号放大电路中。
饱和压降特性:在 50mA 和 1A 的工作条件下,Vce 饱和压降最大值仅为 250mV,表明该器件在开关操作时能够显著降低功耗,从而提高系统整体效率。
频率响应:PBSS5120 具有 100MHz 的跃迁频率,适用于高频应用,如 RF 放大器和高频开关电源等。
工作温度:器件工作温度范围广,能够在高达 150°C 的环境下稳定工作,适合于高温应用场合,例如汽车电子或工业控制系统。
包装和安装:采用 SOT-23-3 表面贴装封装(TO-236AB),其小巧的封装设计有利于实现高密度的电路布置和良好的热管理。
应用领域
PBSS5120T,215 可以被广泛应用于以下领域:
结论
综上所述,PBSS5120T,215 是一款高效、经济的 PNP 晶体管,具有卓越的电气性能和广泛的应用场景。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制系统中,其稳定性和可靠性使其成为工程师们的优选器件。对于在寻找高性能晶体管以满足严苛应用需求的设计师,PBSS5120 无疑提供了一个优秀的解决方案。