功率(Pd) | 3.1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 11pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15.5mΩ@4.5V,9.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.42nF@50V | 连续漏极电流(Id) | 11.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
在现代电子设备的发展中,场效应管(MOSFET)作为一种重要的半导体元器件,广泛应用于各种电源管理和开关应用中。AO4294是由AOS(Advanced Semiconductor Engineering)公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,具有出色的电气性能以及可靠的工作特性。在本产品概述中,我们将对AO4294的主要特性、应用领域及其优势进行详细介绍。
电气性能
封装形式
快速开关速度
良好的热特性
AO4294的设计和性能使其适于广泛的应用场景,包括:
开关电源
电机驱动
LED照明
电源调节器
高性价比
设计方便
可靠性强
AO4294作为AOS公司推出的一款N沟道MOSFET,凭借其卓越的电气性能、高效的开关特性以及可靠的工作能力,在电源管理、电机驱动和LED照明等众多领域中展现了广泛的应用前景。设计师与工程师在开发电子产品时,AO4294的高性价比和良好设计适应性,使得其成为了一款优秀的选择。随着市场对高效电源解决方案的需求不断增加,AO4294将继续在未来的电子应用中发挥其重要作用。