晶体管类型 | NPN | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 15V |
频率 - 跃迁 | 5GHz | 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz |
增益 | 8.5dB ~ 13dB | 功率 - 最大值 | 700mW |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 70 @ 70mA,8V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 210mA |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
BFR106E6327HTSA1 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高频 NPN 硅 RF 晶体管,专为高频应用设计,广泛应用于通信、无线电频率放大和信号处理领域。该器件采用表面贴装(SMD)技术,具有良好的电性能,能够满足当前市场对高性能 RF 组件的需求。
电气特性:
工作条件:
封装与安装:
BFR106E6327HTSA1 可广泛应用于多种场合,具体应用包括但不限于:
无线通信: 适用于手机、对讲机等无线通信设备的信号放大,以提高通信质量和范围。
射频放大器: 在卫星和地面基站的射频放大器中,提供高增益和低噪声性能,保证信号的准确传递。
测量设备: 用于射频测量设备的信号放大,提高测量灵敏度,增强信号的处理能力。
无线传感器网络: 在物联网(IoT)的无线传感器中,提供可靠的信号放大,确保数据的稳定传输。
高频性能:具备 5GHz 的频率响应,使其在现代无线通信系统中表现出色。
低噪声特性:较低的噪声系数有助于提升系统的整体信号质量,尤其在对信噪比要求严格的场合。
高功率能力:700mW 的功率处理能力能够满足高功率要求的应用场合,保证了设备的高效运行。
工作温度范围广:可在高温环境下安全工作,增强了其应用的灵活性和产品的耐久性。
紧凑的设计:SOT-23-3 封装使其适合高密度市场需求,有助于节省空间并提高生产效率。
BFR106E6327HTSA1 是一款高性能、高可靠性的 NPN 硅 RF 晶体管,凭借优异的电气特性和出色的工作温度范围,成为现代通信和射频应用中的一种理想选择。无论是在设计新型无线通信设备,还是在升级现有系统时,BFR106E6327HTSA1 都能提供可靠的性能支持,助力推动技术的发展与创新。