SIHP125N60EF-GE3
SIHP125N60EF-GE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | EF |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 功率耗散（最大值） | 179W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1533pF @ 100V | 基本产品编号 | SIHP125 |
SIHP125N60EF-GE3手册
SIHP125N60EF-GE3概述
产品概述：SIHP125N60EF-GE3 N通道 MOSFET
制造商： Vishay Siliconix
系列： EF
产品类型： N通道 MOSFET
封装类型： TO-220AB
基本产品编号： SIHP125N60EF-GE3
在现代电子设计中，MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）作为一种重要的开关元件，其高效性能受到了广泛关注。SIHP125N60EF-GE3是Vishay Siliconix推出的一款高性能N通道MOSFET，具有出色的电气特性和热性能，特别适用于高电压和高电流应用场景，极大满足了工业、消费电子以及汽车电子等领域的需求。
1. 电性能参数
SIHP125N60EF-GE3的显著特点之一是其高漏源电压（VDS），达到600V，能够满足多种高电压应用的需求。其连续漏极电流（ID）为25A（在一定条件下）。这一性能使其适合在逆变器、开关电源和其他功率管理电路中进行高效的电流控制。
该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）在不同的电流（ID）与栅极电压（VGS）条件下表现良好：当VGS为10V，ID为12A时，最大导通电阻为125毫欧。这种低导通电阻确保了在应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
2. 开关特性
在高频率应用场景中，高速开关能力尤为重要。SIHP125N60EF-GE3的栅极电荷（Qg）最大为47nC，在VGS为10V的条件下，提供了良好的开关速度，为高频转换应用提供了保障。此外，输入电容（Ciss）在100V时达到1533pF，这对于设计电路的驱动器至关重要。
3. 工作温度和功率耗散
该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），意味着它能够在极端环境下长时间可靠工作，适用于各种工业和汽车环境。此外，SIHP125N60EF-GE3的最大功率耗散能力为179W，能够满足高功率需求的电路设计，确保其在高功率负载下的热管理。
4. 栅极阈值电压
MOSFET的栅极阈值电压（VGS(th)）标称最大为5V（在250µA下测量），确保其对于微控制器或PWM（脉冲宽度调制）信号的兼容性，实现高效开关控制。这一特性使得SIHP125N60EF-GE3能够在低电压设计中工作，进一步扩展了其应用范围。
5. 封装特点
SIHP125N60EF-GE3采用TO-220AB封装，该封装设计便于散热，使得在大电流和高功率条件下稳定运行。其通孔安装类型使其易于集成到各种电路板设计中，为设计者提供了更多的灵活性与选项。
6. 应用场景
凭借其卓越的电气特性，SIHP125N60EF-GE3非常适合于多种应用场景，例如：
- 开关电源（SMPS）：在AC/DC或DC/DC变换器中作为开关元件，提高能效。
- 逆变器：在光伏（PV）逆变器和电动车逆变器中提供高效率的电流控制。
- 电机驱动：适用于各种电机驱动应用，实现高功率、电流控制的效果。
- 工业控制系统：在自动化设备中使用，提高系统的灵活性与响应速度。
结论
SIHP125N60EF-GE3是Vishay Siliconix推出的一款功能强大的N通道MOSFET，其高电压、高电流及低导通电阻特性，使其成为高效能电子设计的理想选择。无论是在电源转换、汽车电子或其他工业应用中，SIHP125N60EF-GE3都能展现出卓越的性能，是工程师在设计高效能电源时不可或缺的重要元件。