制造商 | Infineon Technologies | 系列 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 60 毫欧 @ 4.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 15µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 2W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TSOP-6-6 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.6nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 657pF @ 25V |
BSL606SNH6327XTSA1 是来自英飞凌(Infineon Technologies)的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),设计用于汽车及其他严苛环境的应用。该产品符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车行业的关键应用中,具备优良的质量和可靠性。
这款 MOSFET 采用了先进的 OptiMOS™ 技术,具有以下主要特性:
BSL606SNH6327XTSA1 的导通电阻(Rds On)在不同的 Id 和 Vgs 条件下表现出色:
BSL606SNH6327XTSA1 采用 TSOP-6-6 表面贴装封装,适合现代电子产品的小型化和高密度设计。其尺寸紧凑,简化了PCB布局,并减少了电路板的空间占用。通过卷带(TR)形式供货,使得自动化生产线的贴装更为便捷。
BSL606SNH6327XTSA1 被广泛应用于以下领域:
BSL606SNH6327XTSA1 是一款结合了高效能与卓越可靠性的 N 通道 MOSFET,适用于汽车及工业领域中的各种应用,是设计工程师在寻找高品质、高性能组件时的一项优秀选择。凭借其优异的电气性能与宽广的工作温度范围,这款器件为客户提供了强大的设计灵活性和可扩展性,满足了现代电子产品日益增长的需求。