BSC010NE2LSATMA1
BSC010NE2LSATMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 39A（Ta），100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-7 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 64nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4700pF @ 12V |
BSC010NE2LSATMA1手册
BSC010NE2LSATMA1概述
BSC010NE2LSATMA1 产品概述
概述
BSC010NE2LSATMA1是一款由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的高性能N沟道功率场效应管（MOSFET），属于其OptiMOS™系列。该产品结合了出色的电流承载能力和低导通电阻，非常适用于高效能电源管理、电机驱动和其他需要高功率密度的应用场景。其适合表面贴装的设计提供了方便的安装选项，使其在现代电子设备中更具应用灵活性。
主要特性
高额定电流：BSC010NE2LSATMA1具有25V的漏源电压（Vds），在25°C时的连续漏极电流（Id）达到39A，在温度较高的情况下，可承受最高100A的电流输出，确保设备在高负载条件下的稳定工作。
低导通电阻：该MOSFET在10V的栅极驱动电压下，以30A的负载电流下，其最大导通电阻仅为1毫欧，极大地降低了功耗和发热，对于提高整体系统效率至关重要。
宽工作温度范围：BSC010NE2LSATMA1支持-55°C到150°C的工作温度范围，能够在严苛环境下稳定工作，适用于多种工业和消费电子应用。
高功率耗散能力：该器件的最大功率耗散为96W（在Tc条件下），和2.5W（在Ta条件下），使其在高功率应用中表现出色。
高频率性能：其最大的输入电容为4700pF，栅极电荷（Qg）为64nC，确保其在高频应用中的快速切换性能，适合用于开关电源和高频开关电路。
关键参数
封装类型：采用PG-TDSON-8-7封装设计，提供优秀的热管理和电气性能，适合现代表面贴装技术（SMT）。
最大栅极驱动电压（Vgs）：可承受±20V的栅极电压，增加了工作的安全性和灵活性。
阈值电压（Vgs(th)）：在250µA时的最大阈值电压为2V，确保在低电压下也能够有效动作，适合低功耗应用。
应用场景
BSC010NE2LSATMA1广泛应用于各种电子设备，尤其是以下几个场景：
- 开关电源：用于DC-DC转换器、电池管理系统，优化能量转换效率。
- 电动汽车：适用于电机驱动和能量管理系统。
- 消费电子：在高效电源适配器和电池充电器中发挥重要作用。
- 工业控制系统：通过高效的电源管解决方案提升设备的可靠性与性能。
结论
BSC010NE2LSATMA1 MOSFET是市场上优秀的高性能功率MOSFET之一，凭借其高电流承载能力、低导通电阻、宽温范围和高频性能，成为电子设计工程师在高效能电源管理和电机驱动等应用中的理想选择。无论是在工业、消费电子还是汽车领域，它都能带来卓越的性能和可靠性。设计师可以依靠BSC010NE2LSATMA1来提升终端产品的效能及竞争力。