额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 30V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BC849C,215 产品概述
一、基本信息
BC849C,215是一款由Nexperia(安世半导体)生产的高性能NPN晶体管,主要用于低功耗电子电路中的信号放大和开关应用,广泛应用于消费电子、工业设备及通信设备等领域。该器件采用ST-23(TO-236AB)封装,具备表面贴装型的特点,便于在现代电子设备中实现小型化和高密度设计。
二、技术参数
额定功率:BC849C,215的额定功率为250mW,能够满足小功耗电路的需求。其功耗能力使其在多个应用场景中表现优异。
集电极电流(Ic):最大集电极电流可达100mA,适合用于多个电流范围的应用中,尤其是在需要驱动小负载的场合。
集射极击穿电压(Vce):该晶体管的最大集射极击穿电压为30V,使其能够承受一定的电压波动,确保在实际应用中的稳定性与可靠性。
Vce饱和压降:在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)条件下,最大Vce饱和压降为600mV(5mA,100mA),低饱和压降保证了设备的高效率,减少了功耗损失。
集电极截止电流(ICBO):最大指标为15nA,显示了该晶体管的高隔离性能,适合用于高灵敏度的信号处理。
DC电流增益(hFE):在2mA和5V的条件下,hFE的最小值为420,意味着该晶体管在放大信号时具有良好的增益特性,能够有效地增强输入信号。
跃迁频率:具有高达100MHz的频率响应能力,适合高频应用,满足现代无线通信和数字信号处理的要求。
工作温度范围:该器件的工作温度可达到150°C(TJ),使其在极端环境下依然发挥良好的性能,适于汽车电子、工业控制等高温操作环境。
三、封装与安装
BC849C,215采用TO-236(SC-59、SOT-23)封装类型,这种小型化的封装形式使得其在电子电路板上的占用空间非常有限,方便实现高密度布局与设计。此外,表面贴装型的特性也简化了生产过程,适合连续大规模的生产线作业。
四、应用场景
信号放大器:适用于音频、视频和高频信号的放大,有助于提升信号质量,增强系统性能。
开关电路:在低功耗开关电路中,BC849C,215可以作为开关元件有效控制电流的通断,广泛应用于各种电子设备的控制系统。
传感器接口:其高增益和低截止电流使得该模拟信号可以很好地被放大,适合用于与各种传感器的连接,实现精确的数据采集。
马达驱动:在小型电机和执行器的驱动中,该晶体管也能提供可靠的电流控制。
结论
BC849C,215是一款小型、高效的NPN晶体管,凭借其较高的性能参数和广泛的应用领域,成为了电子工程师实现现代设备设计与开发的理想选择。无论是用于消费电子、工业自动化,还是在高频通讯领域,其出色的电气特性和可靠的工作性能都能够满足复杂的设计需求,为电子系统的高效运行提供强有力的支持。