STF24N65M2
STF24N65M2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 230 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1060pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF24N65M2手册
STF24N65M2概述
STF24N65M2 产品概述
基础信息
STF24N65M2 是一款高性能的N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics) 生产，设计用于高压和高电流应用。其关键参数包括：额定漏源电压650V、最大连续漏极电流16A（在25°C的散热条件下），以及极低的导通电阻（Rds On）为230毫欧，这使得该器件在高频率和高效率开关电源及其他功率转换应用中表现出色。
主要特性
高漏压和大电流能力: STF24N65M2 在650V的漏源电压和高达16A的电流条件下稳定运行，适用于要求高电压的应用场合，例如直流-直流转换器、逆变器以及电池管理系统。
低导通电阻: 最大导通电阻Rds On为230毫欧（在8A和10V时测得），使得该MOSFET在进行开关时损耗极小，极大提高了整体系统的能效。
高工作温度范围: STF24N65M2 的工作温度范围在-55°C到150°C，适用于恶劣环境条件下的应用，增强了其适用性。
高栅极电压承受能力: 最大栅源电压为±25V，确保在实际应用中不会由于过高的栅源电压而导致器件损坏，增加了设计的灵活性。
高输入电容: 最大输入电容Ciss为1060pF（在100V时测得），这使得该FET在高频开关操作中性能优异。
完善的封装方案: 采用TO-220FP封装，易于安装，便于散热，适用于手工焊接及自动化生产，为设计者带来了更多的便利。
应用场景
STF24N65M2广泛应用于各种功率电子产品中，包括但不限于：
开关电源（SMPS）: 由于其高频率响应和低导通损耗，该MOSFET非常适合用于AC/DC和DC/DC转换器。
逆变器及高效电机驱动: 可以在风能、太阳能及电动车辆的逆变器中使用，实现对电能的高效转换与管理。
电池管理系统: 在电池充放电及平衡电路中，能够提供稳定的开关控制，保护电池避免过充或过放。
设计优点
选择STF24N65M2作为设计方案中的关键元件，可以带来诸多优势：
节能减排: 由于低导通损耗和高转化效率，该器件能有效降低系统的能耗，从而减小了碳排放，符合现代可持续发展的趋势。
增强系统可靠性: 具有广泛的工作温度范围，优良的电气性能及稳定性，显著提升了整机系统的长期运行可靠性。
灵活性和便捷设计: 由于其高栅源电压承受能力和高输入电容，设计师可以在系统设计时留有更大的发挥空间，使其在不同的操作条件和环境下都能表现优越。
总结
STF24N65M2作为一款高效、稳定且具备广泛应用前景的N沟道MOSFET，凭借出色的电气性能和设计灵活性，能够满足现代电源电子应用中对器件性能的高要求。选择该产品将有助于开发高效、可靠的电源解决方案，推动更多功率设备的技术进步。