IRFB7534PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFB7534PBF

商品编码: BM0000037086
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 294W 60V 195A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.46
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.46
--
100+
¥4.37
--
1000+
¥4.05
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFB7534PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.4 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)279nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10034pF @ 25V
功率耗散(最大值)294W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRFB7534PBF手册

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IRFB7534PBF概述

产品概述:IRFB7534PBF

1. 引言

IRFB7534PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),广泛应用于各种电力电子设备和高负载开关电路中。采用 TO-220AB 封装,拥有卓越的热管理能力和显著的导通性能,使得该产品成为电源管理、逆变器、马达驱动器以及高频开关电源等应用的理想选择。

2. 主要参数

  • 类型: N通道 MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss): 60V
  • 连续漏极电流 (Id): 195A (在 TC=25°C 下)
  • 驱动电压: 6V (最小 Rds On), 10V (最大 Rds On)
  • 导通电阻 (Rds On): 在不同 Id 和 Vgs 条件下,其最大值为 2.4 毫欧于 100A 电流和 10V 驱动电压下
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3.7V(@250µA)
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值 279nC(@ 10V)
  • 输入电容 (Ciss): 最大值 10034pF (在 25V 时)
  • 功率耗散: 高达 294W (在 TC=25°C 下)
  • 工作温度范围: -55°C 到 175°C(TJ)
  • 封装类型: TO-220AB

3. 性能特点

IRFB7534PBF 的设计优化了热性能和电气参数,使其在高功率应用中展现出卓越的表现。其最低的导通电阻 (Rds On) 能有效降低能量损耗,从而提升电路的整体效率。在高电流状态下,其导通电阻仍保持在一个较低的水平,保证了系统的稳定性及可靠性。

4. 应用领域

IRFB7534PBF 被广泛应用于多种工业和消费电子领域,特别是需要高效率和高功率的应用场合。具体的应用包括但不限于:

  • 开关电源: 可用作电源转换模块中的开关元件。
  • 逆变器: 在太阳能逆变器及其他类型的电力变换设备中,提供高效率的直流到交流转换。
  • 马达控制: 适用于直流电机及步进电机的高性能驱动。
  • 电池管理系统: 作为过流保护和开关控制元件增强系统的安全性。
  • 高频开关电路: 由于其优越的开关特性和低栅极电荷,适合高频震荡和切换应用。

5. 可靠性和稳定性

IRFB7534PBF 具有极宽的工作温度范围,最低可达 -55°C,最高可到 175°C,使其在各种恶劣环境下均能稳定工作。同时,TO-220AB 的封装设计提供了出色的散热能力,有效降低了在高功耗工作状态下的温度上升,进一步提升了器件的可靠性。

6. 结论

IRFB7534PBF 是一款适合高负载应用的卓越 N 通道 MOSFET,凭借其高导通能力、低能量损耗及宽广的工作温度范围,能够满足现代电力电子设备日益增长的性能需求。无论是电源管理还是驱动应用,该 MOSFET 都为设计师提供了可靠的解决方案,是高性能电源转换和驱动电路中不可或缺的关键元件。