FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.4 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 279nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 10034pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 294W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB7534PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),广泛应用于各种电力电子设备和高负载开关电路中。采用 TO-220AB 封装,拥有卓越的热管理能力和显著的导通性能,使得该产品成为电源管理、逆变器、马达驱动器以及高频开关电源等应用的理想选择。
IRFB7534PBF 的设计优化了热性能和电气参数,使其在高功率应用中展现出卓越的表现。其最低的导通电阻 (Rds On) 能有效降低能量损耗,从而提升电路的整体效率。在高电流状态下,其导通电阻仍保持在一个较低的水平,保证了系统的稳定性及可靠性。
IRFB7534PBF 被广泛应用于多种工业和消费电子领域,特别是需要高效率和高功率的应用场合。具体的应用包括但不限于:
IRFB7534PBF 具有极宽的工作温度范围,最低可达 -55°C,最高可到 175°C,使其在各种恶劣环境下均能稳定工作。同时,TO-220AB 的封装设计提供了出色的散热能力,有效降低了在高功耗工作状态下的温度上升,进一步提升了器件的可靠性。
IRFB7534PBF 是一款适合高负载应用的卓越 N 通道 MOSFET,凭借其高导通能力、低能量损耗及宽广的工作温度范围,能够满足现代电力电子设备日益增长的性能需求。无论是电源管理还是驱动应用,该 MOSFET 都为设计师提供了可靠的解决方案,是高性能电源转换和驱动电路中不可或缺的关键元件。