晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
功率 - 最大值 | 300mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
在现代电子设计中,晶体管作为基本的电子元器件,广泛应用于放大、开关等多种电路中。PUMH2,115是一款由Nexperia(安世半导体)推出的高性能数字晶体管,采用双NPN预偏压设计,功能齐全,适用于多种复杂电子电路的需求。
双NPN预偏置设计
PUMH2,115具备两个NPN晶体管,用户可以轻松地在电路中实现并联或串联,用于增加电流增益或实现复杂的开关控制,极大地提高了设计的灵活性和效率。
高集电极电流能力
该晶体管支持最大集电极电流( Ic)可达100mA,适用于需要较高输出电流的应用,能够有效驱动负载,这一点在汽车电子、工业控制以及消费电子产品中尤为重要。
高耐压特性
PUMH2,115的集射极击穿电压最大值达到50V,使得该组件可以在较高电压的环境中稳定工作,非常适合用于电源管理和高电压开关应用。
优良的增益性能
在电流条件下,PUMH2,115提供的直流电流增益(hFE)最小值为80(对应5mA,5V的条件),这意味着在较低的基极电流下也能实现较为理想的集电极电流,增强了电路的驱动能力。
低饱和压降
在特定的工作条件下(如500µA的基极电流和10mA的集电极电流),该晶体管的饱和压降(vce)最大仅为150mV,这种低的压降能够提升电能的使用效率,减少功耗,适合于要求严格的低功耗设计。
低截止电流
最大1µA的集电极截止电流,表明该器件在关闭状态下能够保持良好的电流隔离,降低了漏电流的影响,有助于提高产品的稳定性和可靠性。
PUMH2,115广泛适用于多种电子产品中,主要应用场景包括但不限于:
综上所述,PUMH2,115是一款功能强大且灵活的数字晶体管,凭借其高集电极电流、高耐压和良好的增益性能,为众多电子应用提供了理想的解决方案。无论是在汽车、工业还是消费电子产品中,PUMH2,115均能展现出优越的性能,适应多变的市场需求。