晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
产品名称:PDTA144EU,115
产品类型:PNP预偏置数字晶体管
封装类型:SOT-323
PDTA144EU,115 是一款由Nexperia(安世)生产的PNP型数字晶体管,具有出色的电气性能和广泛的应用潜力。该产品采用小型表面贴装封装(SOT-323),非常适合需要节省空间的电子设备。它的主要参数包括最大集电极电流为100mA,集射极击穿电压为50V,具有200mW的最大功率,并且在基极电阻(R1)和发射极电阻(R2)均为47 kOhms的设置下,确保了可靠的偏置和稳定的工作状态。
晶体管类型:PNP - 预偏压
PNP晶体管在电路中的基础作用是开关和放大,适用于低电压应用中的信号调节。
电流 - 集电极 (Ic) 最大值:100mA
该晶体管支持最高100mA的集电极电流,能满足多个负载需求,充分保证了工作电流与负载的兼容性。
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
高达50V的集射极击穿电压使其在多种应用场景下保持安全运行,特别是对于较高压的电源和信号线路。
功率 - 最大值:200mW
最大200mW的功耗能力保证了晶体管在连续工作状态下的稳定性,适合相对高功率的应用。
电流 - 集电极截止(最大值):1µA
该值确保了当晶体管处于截止状态时,漏电流极低,提高了电路的整体能效。
DC电流增益 (hFE):80 @ 5mA,5V
此增益表明在给定条件下晶体管的放大能力,足以用作信号放大或开关功能。
Vce饱和压降(最大值):150mV @ 500µA,10mA
较低的饱和压降意味着在开关状态下的能量损耗极小,提高了电路的效率。
PDTA144EU,115 采用SOT-323(SC-70)封装。小型化的设计极大地减少了电路空间的占用,使其在现代电子设计中非常受欢迎。表面贴装型的安装方式也使得其在自动化组装线上的适用性更强。这种封装形式特别适合移动设备、消费电子及便携式设备等领域。
PDTA144EU,115的优异性能使其适用于多种应用场合,包括但不限于:
PDTA144EU,115作为一款PNP预偏置数字晶体管,以其合理的技术参数和优异的性能在电子产品中展现出独特的价值。Nexperia的这一产品可广泛应用于现代电子设备中,为设计者提供了稳定、高效且灵活的解决方案。无论是在空间受限的应用场合,还是在低功耗、高效率的需求下,PDTA144EU,115都是一个非常理想的选择。