精度 | ±5% | 稳压值(典型值) | 6.2V |
反向漏电流 | 3uA @ 4V | 最大功率 | 500mW |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 6.2V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3µA @ 4V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 200°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 供应商器件封装 | LLDS;MiniMelf |
BZV55-C6V2,115是由Nexperia(安世)制造的稳压二极管,广泛应用于电源管理和过压保护等电路设计中。其典型稳压值为6.2V,具有优良的电气特性和可靠性,特别适合在需要稳压和电压参考的应用场景。
稳压特性:BZV55-C6V2,115的标称稳压值为6.2V,工作电压范围在5.8V至6.6V之间,确保在不同条件下依然能够提供稳定的输出电压。
精度与温度特性:该器件具备±5%的精度,在广泛的工作温度范围(-65°C至200°C)内保障其性能稳定,适用多种环境条件。
反向漏电流:在电压为4V时,反向漏电流仅为3μA,这意味着其在未导通状态下对电路的影响微乎其微,有助于提高电路的整体效率。
功率处理能力:该稳压二极管的最大功率可以达到500mW,适合用于一般的稳压应用,尤其是在小型化和高效能的电路设计中。
低阻抗特性:在工作状态下,其最大阻抗(Zzt)为10Ω,这能够有效降低电压波动,提高电路的稳定性。
正向电压特性:在10mA的正向电流情况下,正向电压为900mV,适合用于需要正向导电的应用场合。
BZV55-C6V2,115采用MiniMELF(LLDS)封装,体积小巧,适合表面贴装 (SMD) 的设计,便于在现代电子设备中实现高密度布局。这种封装不仅减少了板级空间的占用,还提高了散热效率,增强了整体的可靠性和稳定性。
BZV55-C6V2,115主要应用于以下几个领域:
BZV55-C6V2,115以其良好的稳压性能、低漏电流、高功率处理能力和广泛的工作温度范围,成为电子设计师在进行电源管理和保护电路设计时的优选组件。其小巧的表面贴装型封装进一步扩展了其应用的灵活性和便捷性。对于那些寻求高可靠性和高效能解决方案的工程师来说,BZV55-C6V2,115是一个理想的选择。