功率(Pd) | 29W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 7.5pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,58A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.725nF@50V | 连续漏极电流(Id) | 58A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
基本信息
AOD66923 是一款高性能的N沟道MOSFET,专为高电压、高电流的应用场景而设计。其在100V的额定电压下可安全操作,连续电流可达到16.5A,瞬时电流更高达58A,使其在电源管理、电机驱动以及其他各类电力电子设备中具备优异的表现。封装形式采用TO-252,使其在散热与布局方面都有良好的适应性。
高效率: AOD66923 MOSFET的设计以低开通电阻(R_DS(on))和低阈值电压为特点,提高了整体转换效率,减少了功耗。这使得该器件在高频应用中尤为有用,能有效降低开关损耗。
优良的热性能: 得益于其TO-252封装,AOD66923能提供良好的热导性和散热能力,使其在大功率应用中展现出卓越的可靠性。该封装设计适合高功率密度的解决方案,有助于提升系统的整体性能。
宽广的工作温度范围: 此MOSFET支持广泛的工作温度范围,适用于各种环境条件下的电路设计。其稳健的温度特性使其在极端条件下依然能够稳定工作。
高开关速度: AOD66923具备快速的开关响应能力,可满足高频操作的需求,适合用于开关电源、DC-DC转换器等应用。
AOD66923 MOSFET因其高电流、高效率和优越的散热能力,广泛应用于多个电力电子领域。主要应用包括但不限于:
AOD66923 N沟道MOSFET凭借其100V的高电压容限、16.5A的额定电流和58A的瞬时电流,成为电力电子设计中不可或缺的重要元器件。其高效率、优良的热性能和广泛的应用领域,使其在现代电子设计中备受青睐。无论是在工业自动化、消费电子,还是在可再生能源等领域,AOD66923都能够为设计师提供可靠的解决方案。
在选用AOD66923 MOSFET时,用户需要注意其电流、电压及功率的匹配,以确保系统的高效、安全运行。通过合理的设计与应用,该元器件将为用户提供强大的电源管理能力,以及更好的电路性能。