AOD66923 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD66923

商品编码: BM0000037062
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 6.2W;73W 100V 16.5A;58A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
960(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.11
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.11
--
100+
¥2.38
--
1250+
¥2.08
--
2500+
¥1.95
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD66923参数

功率(Pd)29W反向传输电容(Crss@Vds)7.5pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,58A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@10V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.725nF@50V连续漏极电流(Id)58A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA

AOD66923手册

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AOD66923概述

产品概述:AOD66923 N沟道场效应管 (MOSFET)

基本信息

  • 型号: AOD66923
  • 类型: N沟道场效应管 (MOSFET)
  • 功率: 6.2W (最大功耗)
  • 额定电压: 100V
  • 额定电流: 16.5A (连续)
  • 瞬时电流: 58A
  • 封装类型: TO-252
  • 品牌: AOS

一、产品介绍

AOD66923 是一款高性能的N沟道MOSFET,专为高电压、高电流的应用场景而设计。其在100V的额定电压下可安全操作,连续电流可达到16.5A,瞬时电流更高达58A,使其在电源管理、电机驱动以及其他各类电力电子设备中具备优异的表现。封装形式采用TO-252,使其在散热与布局方面都有良好的适应性。

二、主要特性

  1. 高效率: AOD66923 MOSFET的设计以低开通电阻(R_DS(on))和低阈值电压为特点,提高了整体转换效率,减少了功耗。这使得该器件在高频应用中尤为有用,能有效降低开关损耗。

  2. 优良的热性能: 得益于其TO-252封装,AOD66923能提供良好的热导性和散热能力,使其在大功率应用中展现出卓越的可靠性。该封装设计适合高功率密度的解决方案,有助于提升系统的整体性能。

  3. 宽广的工作温度范围: 此MOSFET支持广泛的工作温度范围,适用于各种环境条件下的电路设计。其稳健的温度特性使其在极端条件下依然能够稳定工作。

  4. 高开关速度: AOD66923具备快速的开关响应能力,可满足高频操作的需求,适合用于开关电源、DC-DC转换器等应用。

三、应用领域

AOD66923 MOSFET因其高电流、高效率和优越的散热能力,广泛应用于多个电力电子领域。主要应用包括但不限于:

  • 开关电源: 在AC-DC和DC-DC转换过程中提供高效的电流切换,保证了电源的稳定性和效率。
  • 电机驱动: 作为H桥电路中的开关元件,为直流电机、步进电机和无刷电机提供高效驱动。
  • 电池管理系统: 在电池充放电过程中,进行高效的电流控制和管理,确保电池的安全与稳定。
  • 逆变器: 用于将直流电转化为交流电,广泛应用于太阳能逆变器和UPS系统中。
  • LED驱动: 在LED驱动电路中,作为开关元件实现高效的功率转换,提升LED的工作效率。

四、总结

AOD66923 N沟道MOSFET凭借其100V的高电压容限、16.5A的额定电流和58A的瞬时电流,成为电力电子设计中不可或缺的重要元器件。其高效率、优良的热性能和广泛的应用领域,使其在现代电子设计中备受青睐。无论是在工业自动化、消费电子,还是在可再生能源等领域,AOD66923都能够为设计师提供可靠的解决方案。

在选用AOD66923 MOSFET时,用户需要注意其电流、电压及功率的匹配,以确保系统的高效、安全运行。通过合理的设计与应用,该元器件将为用户提供强大的电源管理能力,以及更好的电路性能。