IRFZ46NPBF
IRFZ46NPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 53A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.5 毫欧 @ 28A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1696pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 107W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFZ46NPBF手册
IRFZ46NPBF概述
产品概述：IRFZ46NPBF
一、基本信息
IRFZ46NPBF是一款高性能的N通道MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用场景。该器件由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，采用TO-220AB封装，适用于各种高功率电源转换和开关应用。
二、技术规格
漏源电压（Vdss）：IRFZ46NPBF的漏源电压高达55V，使其能够在高电压环境下安全稳定地运行，满足许多行业对电源管理的需求。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，该器件的连续漏极电流为53A（Tc），使其适合大电流应用，确保能够有效处理重负载。
导通电阻（Rds On）：此MOSFET在10V驱动电压下，28A的工作条件下最大导通电阻为16.5毫欧，这意味着在开关过程中的能量损耗极低，有助于提高系统的能效和稳定性。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：器件的最大Vgs(th)为4V，表明在相对低的栅极电压下，MOSFET就能开始导通，适合各种驱动电路。
栅极电荷（Qg）：在10V条件下，该MOSFET的最大栅极电荷为72nC，具备快速开关能力，适合高频率的应用环境。
工作温度范围：IRFZ46NPBF的工作温度范围在-55°C至175°C之间，这使得该器件可在极端环境条件下运行，适用于航空航天、军事和工业等各种关键应用。
三、功率耗散
IRFZ46NPBF的最大功率耗散能力为107W（Tc），这为其在高功率应用中的安全性提供了保障。相较于同类产品，IRFZ46NPBF的功率处理能力显著，能够在高负载情况下保持较低的温升。
四、应用领域
IRFZ46NPBF的优越特性使其在多个领域中表现出色，包括：
- DC-DC转换器：在电源管理和电池供电系统中，能够提供高效率和高电流输出。
- 电机驱动：适用于各种电机控制应用，可以高效驱动直流电机和步进电机。
- 开关电源：在电源模块中发挥重要作用，提高转换效率和稳定性。
- 高频开关设备：适合高频应用，提供快速的开关响应和低导通损耗。
五、总结
总的来说，IRFZ46NPBF为设计工程师提供了一款强大的解决方案，具有高电压、高电流能力、低导通损耗及广泛的工作温度范围。其在各种应用场景中的出色表现，使其成为电源管理领域值得信赖的选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，IRFZ46NPBF都是一个可靠的选择，能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的挑战。