存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | EEPROM |
技术 | EEPROM | 存储容量 | 4Kb (512 x 8,256 x 16) |
存储器接口 | SPI | 时钟频率 | 2MHz |
写周期时间 - 字,页 | 5ms | 电压 - 供电 | 1.8V ~ 5.5V |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
M93C66-RMN3TP/K 产品概述
概述
M93C66-RMN3TP/K 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能 EEPROM(电可擦可编程只读存储器)。该器件是非易失性的存储器,允许在断电后保持数据。它采用 SPI(串行外设接口)进行通信,广泛应用于各种需要可靠数据存储的场合,如工业控制、消费电子、汽车电子、智能卡和通信设备等。
主要技术参数
存储容量:M93C66-RMN3TP/K 具有4Kb的存储容量,支持512 x 8位或256 x 16位两种存储格式。这使得该器件适用于存储各种配置参数、校准数据和其他需要持久保存的信息。
工作电压:该器件支持宽范围的供电电压,工作电压为1.8V至5.5V,灵活适应多种应用场景中的电源要求。
工作温度:M93C66-RMN3TP/K的工作温度范围为-40°C至 +125°C,这一广泛的温度适应性使其适用于严酷环境下的应用,例如汽车和工业应用。
接口类型和速度:器件通过 SPI 接口与微控制器或其他处理器连接,时钟频率高达2MHz,确保了数据传输的快速性和效率。这对于对实时数据存取有更高要求的应用来说尤为重要。
写入周期:M93C66-RMN3TP/K 具有5毫秒的写周期时间,支持字和页模式的写入,这对应用程序的性能是一个重要考虑因素。用户可以根据需求分配内存的读写操作,灵活性高。
封装类型:该器件采用8-SOIC(0.154",3.90mm宽)封装,具备良好的表面贴装特性,适合高密度的PCB设计。
应用领域
M93C66-RMN3TP/K 适合多种应用场景,包括但不限于:
总结
M93C66-RMN3TP/K 作为一款高性能、广泛适应性和灵活性的 EEPROM 存储器,适合各种应用需求。从高温环境到多种电压供电选项,它的设计目的是为了在严苛条件下可靠存储数据。此外,采用 SPI 接口与快速写入速度,使其在数据通讯和实时存取方面具备优势,为设计师和工程师提供了更为理想的解决方案。
基于以上特点,M93C66-RMN3TP/K 是一个在当今快速发展的电子产品市场中,值得关注的存储器选择,能够满足多样化应用的需求,促进技术创新与产品优化。