IPA65R650CEXKSA1
IPA65R650CEXKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 650 毫欧 @ 2.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 210µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 440pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 28W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
IPA65R650CEXKSA1手册
IPA65R650CEXKSA1概述
产品概述：IPA65R650CEXKSA1
IPA65R650CEXKSA1是一款高性能的N通道MOSFET，采用了先进的金属氧化物半导体技术。其主要特点是具有650V的漏源电压（Vdss）和连续漏极电流能力达到7A（Tc），使得该器件非常适合用于高压和高功率的应用场景，尤其是在电力电子、开关电源及电动机驱动等领域。
电气特性
在电气特性方面，IPA65R650CEXKSA1提供了一系列卓越的参数。该MOSFET在25°C降额条件下的连续漏极电流（Id）为7A，这使其在多种应用中具备足够的驱动能力。此外，该器件在Vgs为10V时，最大导通电阻（Rds(on)）为650毫欧（@2.1A），保障了其在打开状态下能有效地降低功率损耗，也提高了整体能效。
另一个值得注意的参数是该器件的门阈电压（Vgs(th)），其最大值为3.5V（@210µA），确保器件在较低的电压下即可开启，有助于提升电路的响应速度和稳定性。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大为23nC（@10V），在高频率开关应用中表现出较低的开关损耗。
热性能与功率处理能力
在热性能方面，IPA65R650CEXKSA1支持最高28W的功率耗散（Tc），适应性强，能够在严苛的工作环境下正常运行。其工作温度范围为–40°C至150°C，进一步拓宽了该器件在工业级和汽车级应用中的适用性。
为了确保可靠性，该器件采用TO-220-3封装，便于散热并简化安装。TO-220封装设计使得其在多个应用中具备较强的热导性能，适合在高功率电路中进行散热管理。
应用场景
由于其优异的特性，IPA65R650CEXKSA1广泛应用于以下场景：
- 开关电源：在AC-DC和DC-DC变换器中作为主要开关元件，提供高效的能量转换。
- 电动机驱动：用于各类电动机的控制，如无刷电动机控制，助力电动交通工具和工业设备的高效驱动。
- 电力管理：适用于逆变器和电压调节器中的高压开关，帮助实现更高的系统效率。
- 照明控制：在LED驱动和智能照明系统中，作为开关器件提高照明的节能效果。
总结
IPA65R650CEXKSA1凭借其650V的耐压能力、优秀的导通性能、理想的热特性以及丰富的应用场景，已成为电力电子领域中不可或缺的一部分。作为来自英飞凌的高端产品，其可靠性和性能已经得到多方验证，适合寻求高效率、高可靠性解决方案的工程师和设计师选择。无论在家用电器、工业自动化，或是新能源系统中，IPA65R650CEXKSA1都能提供出色的性能支持，为设备的智能化、高效化提供有力保障。