DMHC3025LSD-13
DMHC3025LSD-13参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 5A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A，4.2A | FET 类型 | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 590pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.7nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
DMHC3025LSD-13手册
DMHC3025LSD-13概述
DMHC3025LSD-13 产品概述
DMHC3025LSD-13 是一种高效能的场效应管（MOSFET），它集成了两个N沟道和两个P沟道MOSFET，采用表面贴装型SO-8封装，专为需要高操作效率和低功耗的应用场景而设计。其关键参数提供了广泛的应用潜力，从电源管理到电机驱动，均可应用于多种电子设备中。
主要性能参数
安装类型：该产品采用表面贴装型设计，使其能在现代电子设备中实现高密度设计，适合自动化焊接和组装处理。
导通电阻：在不同的栅极电压（Vgs）和漏极电流（Id）条件下，DMHC3025LSD-13 的最大导通电阻为25毫欧（在5A，10V时）。这一低导通电阻特性使得旗下MOSFET在低热量损耗的情况下提供更高的电流通过能力。
漏极电流：该MOSFET在工作情况下可承载最高6A的持续漏极电流，对于某些场合4.2A的额定，能够满足绝大多数电源应用需求。
漏源电压：其漏源电压（Vdss）为30V，使得该器件在低电压应用中具有极高的兼容性和灵活性。
输入电容：在15V时，输入电容（Ciss）最大值可达590pF，为高频应用提供了良好的性能表现，降低了信号传输延迟。
栅极电荷：在10V的栅极电压下，栅极电荷（Qg）最大值为11.7nC，可有效降低开关损耗，提高开关速度。这一点在高开关频率的电源转换电路中极为重要。
Vgs(th)：不同漏极电流（Id）下，栅源阈值电压（Vgs(th)）的最大值为2V（在250µA时），确保逻辑电平门特性在实际电路中具有出色的适应性，便于与逻辑设备兼容。
工作温度范围：DMHC3025LSD-13 的工作温度范围为-55°C至150°C，使其可在严酷环境下正常工作，增加了产品的应用场景。
功率最大值：该器件的最大功率为1.5W，适合多种信号和功率处理应用。
应用领域
DMHC3025LSD-13 适合于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理电路
- DC-DC转换器
- 电机驱动应用
- 照明控制系统
- 电子开关应用
- 汽车电子装置
由于其出色的性能参数，该MOSFET能够在多个领域内提高电路的整体效率和可靠性，因而成为高端消费电子、通信设备和工业控制等领域的理想选择。
结论
综合来看，DMHC3025LSD-13 是一款功能强大且灵活的MOSFET，具有出色的电气性能和宽广的应用前景。其低导通电阻、良好的输入特性及可靠的工作温度范围，使其在现代电子设计和应用中成为一个不可或缺的元器件。无论在高频应用还是功率控制领域，DMHC3025LSD-13 均能为设计师和工程师提供优质的解决方案。