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SUD23N06-31-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-252，（D-Pak）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 5.7W；31.25W 60V 21.4A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
5626(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
3.55按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.55
--
100+
￥2.95
--
1000+
￥2.69
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
SUD23N06-31-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 670pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 5.7W（Ta），31.25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SUD23N06-31-GE3手册
无数据
SUD23N06-31-GE3概述
SUD23N06-31-GE3 产品概述
产品简介
SUD23N06-31-GE3 是一种高性能 的 N 通道 MOSFET，由 VISHAY（威世）制造，具有优秀的电气特性和广泛的应用前景。该器件适合用于高效的开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动和其他一些要求高电流承载能力的电路设计。
主要参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：60V，能够支持多种应用场合的电压要求
- 工作电流（Id）：在25°C条件下的连续漏极电流为21.4A（Tc），提供较高的负载能力
- 驱动电压（Vgs）：最佳工作电压为4.5V和10V，适合大多数驱动电路
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V的驱动电压下，最大导通电阻为31毫欧，确保低功耗和高效率
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为3V @ 250µA，适用于广泛的输入信号
- 栅极电荷（Qg）：在10V下最大值为17nC，简单易驱动、适用于频繁切换的场合
电气特性
- 输入电容（Ciss）：在25V时最大值为670pF，保证了良好的开关特性，并能在高频应用中保持低失真
- 功率耗散：在环境温度（Ta）下最大功率耗散为5.7W，在结温（Tc）下可达31.25W，适应了高负载条件及散热设计
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C，广泛适用于各种环境条件，包括极端温度场合
封装特性
该 MOSFET 采用 TO-252 封装（D-Pak），同时具备良好的散热能力和占板面积小的特点，非常适合表面贴装技术（SMT）。封装设计为 TO-252-3，含2引线和接片（SC-63），确保良好的电气连接性能以及适用性。
应用领域
SUD23N06-31-GE3 由于其出色的电气性能，广泛应用于以下领域：
- 开关电源：在商用和工业级开关电源中，可用作输出开关，提供高效能实现低功耗
- DC-DC 转换器：作为高频切换元件，帮助优化能量转换，提高系统效率
- 马达驱动：在电动机控制电路中，该 MOSFET 提供优秀的电流承载特性，适用于多种电机类型
- LED 驱动：用于驱动大功率 LED 灯具，能够有效管理电流，提高亮度并延长使用寿命
总结
SUD23N06-31-GE3 MOSFET 是一款性能优越的 N 通道场效应管，凭借其低导通电阻、高温工作能力和优良的开关特性，为多种电子应用提供了理想的解决方案。无论是用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动还是 LED 驱动，均能有效提升系统性能。VISHAY 品牌的可靠性及产品的高性价比，更进一步使得 SUD23N06-31-GE3 成为设计工程师的首选之一。