驱动配置 | 高压侧或低压侧 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1.45V,2V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2A,2.5A | 输入类型 | CMOS/TTL |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 500V | 上升/下降时间(典型值) | 25ns,25ns |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
L6498DTR 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能栅极驱动集成电路(IC),专为驱动IGBT(绝缘栅双极晶体管)和N沟道MOSFET而设计。该产品采用了SOIC-8封装,具备出色的电气性能和环境适应性,广泛应用于各种高功率和高效率的电力电子设计中,如逆变器、电源转换器和电动机驱动系统。
L6498DTR支持高压侧和低压侧的驱动配置,能够灵活应对不同的电气环境。它的驱动器数量为2,适合用于双通道应用,让用户在系统设计时具备更多的灵活性。此外,该IC的工作电压范围为10V至20V,使其在多种电源条件下运行稳定。
重要的逻辑电压指标包括:输入逻辑低电压(VIL)为1.45V,输入逻辑高电压(VIH)则为2V,确保与CMOS和TTL逻辑电路的兼容性。这种设计使得L6498DTR能够与各种控制器和数字系统无缝连接,简化了系统集成。
L6498DTR的输出电流能力较强,具备2A(灌入)和2.5A(拉出)的峰值输出电流。这使得其能够快速充电和放电栅极电容,有效提高开关速度,从而提高整体效率。其上升时间和下降时间的典型值均为25ns,确保了迅速的开关响应,这在高频开关应用中至关重要。
该IC的高压侧最大自举电压可达500V,使其能够支撑高压应用的需求,适合用于行业标准的高压驱动,并具备安全的隔离特性。这表明L6498DTR在复杂的高电压环境中依然能够稳定工作,符合高压系统深化发展趋势。
L6498DTR的工作温度范围为-40°C至+125°C(TJ),意味着它在苛刻的环境条件下仍能保持可靠的性能。这一特性使得其在工业自动化、消费电子以及电动车辆等高温或低温应用场景中均具有广泛的适用性。
L6498DTR采用表面贴装类型的SOIC-8封装,具有3.90mm宽的紧凑设计。这样的封装使得L6498DTR在现代PCB(印刷电路板)设计中更具灵活性,适合高密度布局的需求,进一步缩小了产品的占用空间。
L6498DTR的高性能特性使其适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
这种多样化的应用使其成为工程师和设计人员在选择栅极驱动解决方案时的理想选择。
综上所述,L6498DTR是一款卓越的栅极驱动IC,凭借其高效能、可靠的高压工作能力和广泛的应用特性,在电力电子领域将为设计师提供强有力的支持。无论是在工业、消费类电子产品还是在新能源领域,L6498DTR都能成为动力系统中不可或缺的核心部件。