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IRF510PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO220
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 43W 100V 5.6A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.55按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.55
--
50+
￥1.97
--
1000+
￥1.64
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF510PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 43W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF510PBF手册
无数据
IRF510PBF概述
IRF510PBF 产品概述
概述
IRF510PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为高效能电力应用而设计。具有优异的电气特性和可靠性，IRF510PBF 是一个极具竞争力的选择，广泛用于开关电源、马达控制和功率放大器等领域。其封装形式为 TO-220AB，便于安装和散热设计，适合在空间有限的环境中使用。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 提供高达 100V 的漏源电压，使其适用范围广泛，能够处理多种高压应用。
- 连续漏极电流（Id）: IRF510PBF 在 25°C 环境下的连续漏极电流为 5.6A，适合较大的负载驱动需求。用户在设计时需要考虑环境温度及散热条件，确保在 Tc 条件下维持较低的工作温度。
- 导通电阻（Rds(on)）: 该产品在 3.4A 和 10V 的驱动下，其导通电阻最大值为 540 毫欧，提供低功耗表现，有助于提高系统的整体效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大栅极阈值电压为 4V @ 250µA，适用于多种低电压开关应用。
- 栅极电荷（Qg）: 在 10V 时的栅极电荷为 8.3nC，确保快速开关表现，并降低开关损耗。
- 输入电容（Ciss）: 在 25V 下最大输入电容为 180pF，支持高速开关动作，提高工作效率。
- 功率耗散: 该器件在 Tc 条件下的最大功率耗散为 43W，使其能够在较大功率输出条件下工作。
- 工作温度范围: IRF510PBF 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适应严苛环境条件，适合航空航天、汽车和工业应用。
典型应用
- 开关电源: 由于其高效能和稳定性，IRF510PBF 常用于各种开关电源设计中，包括 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。
- 马达控制: 在电机控制电路中，能够实现高效能的电流开关，降低系统的能量损耗。
- 功率放大器: IRF510PBF 的高压承受能力和灵活性使其适用于音频功率放大器，满足高功率输出的需求。
- 电子开关: 适合作为各类数控设备及自动化系统中的电子开关，用于控制电流流动。
封装与散热设计
IRF510PBF 采用 TO-220AB 封装，这种封装设计提供了良好的散热性能。为确保器件在高功率条件下稳定工作，设计工程师应考虑适当的散热措施，包括散热器的选择和布线设计，以降低晶体管结温（TJ），从而提高其可靠性和性能。
总结
IRF510PBF 是一款出色的 N 通道 MOSFET，具有高压、高电流和高功率耗散能力，适合多种工业和商业应用。凭借其优异的电气性能和广泛的工作温度范围，该器件是现代电子电路设计中不可或缺的组件。对于需要高效能和可靠运行的应用，IRF510PBF 是一种理想的选择。